[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、晶体管基板、发光装置及显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一氧化物层，

薄膜电阻的值比所述第一氧化物层大的第二氧化物层，

与所述第一氧化物层电耦合的一对输入输出电极，和

控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极；

并按照所述控制电极、所述第一氧化物层、所述第二氧化物层的顺序而配置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一氧化物层及所述第二氧化物层由金属氧化物形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第二氧化物层包含选自所述第一氧化物层中含有的金属元素中的一种以上元素。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第二氧化物层具有超过1×10⁵Ω/□的薄膜电阻。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一氧化物层包含选自Zn及Sn的一种以上的元素。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一氧化物层包含从由In、Sn、Zn及Mg构成的元素群中选择的一种以上的元素，

所述第二氧化物层实质上不包含In。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第一氧化物层包含In。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

在所述第一氧化物层中，In浓度发生变化，而且In浓度越接近所述控制电极越大。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一氧化物层中的载流子的迁移率比所述第二氧化物层中的载流子的迁移率大。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第二氧化物层中的氧浓度比所述第一氧化物层的氧浓度大。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第二氧化物层中的禁带的能级宽度比所述第一氧化物层中的禁带的能级宽度大。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第二氧化物层包含构成所产生的主要载流子形成空穴的氧化物的金属元素，

所述第二氧化物层中的所述金属元素的浓度比所述第一氧化物层中的所述金属元素的浓度大。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第二氧化物层包含从由Al、Zr、Mo、Cr、W、Nb、Ti、Ga、Hf、Ni、Ag、V、Ta、Fe、Cu、Pt、Si及F构成的元素群中选择的一种以上的元素。

14.一种晶体管基板，其具有权利要求1～13中任一项所述的半导体装置。

15.一种发光装置，其包括：

发光元件；和

与所述发光元件连接，并控制所述发光元件的发光的半导体装置，

其中，所述半导体装置是权利要求1～13中任一项所述的半导体装置。

16.一种显示装置，其包括：

像素；和

与所述像素结合并控制所述像素的显示的半导体装置，

所述半导体装置是权利要求1～13中任一项所述的半导体装置。

17.一种半导体装置的制造方法，其包括：

准备基板的步骤；

形成第一氧化物层的步骤；

形成薄膜电阻的值比所述第一氧化物层大的第二氧化物层的步骤；

形成与所述第一氧化物层电耦合的一对输入输出电极的步骤；和

形成用于控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极的步骤。