[发明专利]用于封装对氧气和/或湿气敏感的电子器件的多层膜有效

专利信息
申请号: 200980121499.9 申请日: 2009-04-08
公开(公告)号: CN102057750A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 森蒂尔·库马尔·拉马达斯;蔡树仁;柯琳 申请(专利权)人: 新加坡科技研究局
主分类号: H05B33/04 分类号: H05B33/04;C09K11/00;H05B33/20;B32B27/02;H05B33/14
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 褚海英;王维玉
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 用于 封装 氧气 湿气 敏感 电子器件 多层
【权利要求书】:

1.一种能够封装对湿气和/或氧气敏感的电子或光电器件的多层阻障膜,所述阻障膜包括:

至少一个纳米结构层,其包括能够与湿气和/或氧气相互作用的反应性纳米粒子,所述反应性纳米粒子分布于聚合物粘合剂内,以及

至少一个紫外光中和层,其包括能够吸收紫外光的材料,从而限制紫外光透射穿过所述阻障膜。

2.如权利要求1所述的阻障膜,其中,所述反应性纳米粒子能够通过化学反应而与湿气和/或氧气相互作用。

3.如权利要求2所述的阻障膜,其中,所述反应性纳米粒子包括从由金属、金属氧化物和其混合物组成的组中所选择的材料。

4.如权利要求3所述的阻障膜,其中,所述纳米粒子包括从由Al、Ti、Mg、Ba、Ca和其混合物组成的组中所选择的金属。

5.如权利要求3或4所述的阻障膜,其中,所述纳米粒子包括从由TiO2、Al2O3、ZrO2、ZnO、BaO、SrO、CaO和MgO、VO2、CrO2、MoO2、LiMn2O4和其混合物组成的组中所选择的金属氧化物。

6.如权利要求3~5之任一项所述的阻障膜,其中,所述纳米粒子包括从由锡酸镉(Cd2SnO4)、铟酸镉(CdIn2O4)、锌锡酸盐(Zn2SnO4和ZnSnO3)、氧化锌铟(Zn2In2O5)和其混合物组成的组中所选择的透明导电金属氧化物。

7.如权利要求1~6之任一项所述的阻障膜,其中,所述反应性纳米粒子能够通过吸附作用而与湿气和/或氧气相互作用。

8.如权利要求7所述的阻障膜,其中,所述纳米粒子包括碳纳米管。

9.如权利要求8所述的阻障膜,其中,所述碳纳米管具有多壁结构。

10.如权利要求1~9之任一项所述的阻障膜,其中所述纳米结构层包括碳纳米管和金属氧化物纳米粒子,存在的金属氧化物纳米粒子的量介于存在的碳纳米管的量的500到15000倍(以重量计)之间。

11.如权利要求1~10之任一项所述的阻障膜,其中,当所述氧气和/或湿气敏感的电子器件包括有机发光器件时,所述纳米粒子的平均尺寸小于由所述有机发光器件所发出的光的特征波长的二分之一。

12.如权利要求1~11之任一项所述的阻障膜,其中,所述纳米粒子是棒状的,其中所述棒状具有介于约10nm~约50nm之间的直径、介于约50nm~约400nm之间的长度以及约5以上的纵横比。

13.如权利要求12所述的阻障膜,其中,所述纳米粒子具有小于约200nm的长度。

14.如权利要求1~13之任一项所述的阻障膜,其中,所述纳米粒子具有介于约1m2/g~约200m2/g之间的表面积对重量的比。

15.如权利要求1~14之任一项所述的阻障膜,其中,所述多层膜的所述至少一个纳米结构层包括至少2种类型的能够与湿气和/或氧气相互作用的反应性纳米粒子。

16.如权利要求15所述的阻障膜,其中,所述多层膜包括第一纳米结构层和第二纳米结构层,所述第一纳米结构层包括金属纳米粒子,所述第二纳米结构层包括金属氧化物纳米粒子。

17.如权利要求16所述的阻障膜,其中,所述多层膜包括在所述多层膜中以交替顺序布置的多个所述第一纳米结构层和所述第二纳米结构层。

18.如权利要求15所述的阻障膜,其中,所述多层膜包括其中分布有金属纳米粒子和金属氧化物纳米粒子的一个纳米结构层。

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