[发明专利]发射调谐方法和利用方法制造的器件

权利要求书

1.一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法，所述方法包括：

提供多个发光二极管；

用转换材料涂敷所述发光二极管，以使来自所述发光二极管的至少一些光穿过所述转换材料并被转换；

测量至少一些所述发光二极管芯片的发射特性；以及

移除至少一些所述发光二极管上的至少一些所述转换材料，以改变所述发光二极管芯片的所述发射特性，使得所述发光二极管芯片在目标发射特性的范围内发射。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中来自所述发光二极管芯片中的每个的光还包括来自所述发光二极管的光。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括产生所述发光二极管的表面变化曲线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中在确定所述发光二极管上多少转换材料要被移除时，所述表面变化曲线被补偿。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中要被移除的转换材料的量由所述发光二极管芯片的所述发射特性相对于目标发射特性的范围确定。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述发光二极管芯片的输出由所述转换材料的所述移除改变，以改变所述发光二极管芯片的所述发射特性。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述目标发射特性的范围对应于CIE曲线上的色度区域图。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述发光二极管芯片发射白光。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述转换材料包括磷光体。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述转换材料涂层包括粘合剂中的磷光体。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述转换材料移除之后，第二次测量至少一些所述发光二极管的所述发射特性。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括第二次移除至少一些所述发光二极管上的至少一些所述转换材料，以改变所述发光二极管芯片的所述发射特性。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括产生所述多个发光二极管的发射特性图。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，其中根据所述发射特性图与用于所述发光二极管芯片的目标发射特性相比较来确定要从所述发光二极管的各个上被移除的所述转换材料的量。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述多个发光二极管被提供在晶圆上，并且所述发光二极管芯片由所述晶圆形成。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法还包括将所述发光二极管从所述晶圆分离为单个的发光二极管芯片或者发光二极管芯片组。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述发射特性测量包括探测所述发光二极管芯片。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述转换材料的所述移除包括粗加工。

19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述转换材料的所述移除包括微加工。

20.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述转换材料所述移除包括微打孔。

21.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述转换材料的所述移除包括微打孔到亚微米深度。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述方法还包括测量所述涂层的表面变化并在微打孔时补偿所述表面变化。

23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，其中所述微打孔包括以亚微米的增量相对于微钻头移动所述晶圆。

24.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，其中所述晶圆由毫微平台以亚微米的增量移动。