[发明专利]用于生产离子可渗透网加强分离器的工艺

权利要求书

1.一种工艺，包括以下步骤：

(i)提供细长多孔网，所述细长多孔网包括两个最外表面；

(ii)在两个浸渍头(6)和(6’)之间将所述细长多孔网向下输送，所述浸渍头包括与所述细长多孔网平行的两个狭缝，每个狭缝具有上和下狭缝面，所述面具有垂直取向或者可与垂直方向偏差不超过10°的取向，从而给所述细长多孔网的两个表面同时提供计量的掺杂剂量，在两个表面上的所述量相同或者可与相同量偏差不超过5％，所述掺杂剂包括至少一种薄膜聚合物和用于该聚合物的至少一种溶剂；

(iii)由此用所述掺杂剂完全浸渍所述细长多孔网，并且在所述细长多孔网的所述最外表面的每个面上提供掺杂剂层，其具有相同厚度或者具有可与相同厚度偏差不超过5％的厚度，所述厚度与所述下狭缝面之一和与其最近的所述细长多孔网表面之间的间隙无关；

(iv)用至少一种非溶剂使得与所述细长多孔网相关联的所述掺杂剂紧随掺杂剂浸渍之后进行相转化，其中所述掺杂剂层的所述相转化在所述网的每个表面上是对称的，由此形成薄膜；以及

(v)从所述薄膜中去除用于所述至少一种薄膜聚合物的所述至少一种溶剂的残余物，由此产生离子可渗透网加强分离器，

其特征在于所述掺杂剂是剪切变薄的。

2.如权利要求1所述的工艺，其中所述步骤(iv)和(v)是同时进行的。

3.如权利要求1或2所述的工艺，其中所述掺杂剂在浸渍温度下在1s^-1的剪切下的粘度与在100s^-1的剪切下的粘度的比值至少为2.5。

4.如权利要求1或2所述的工艺，其中所述掺杂剂在浸渍温度下在1s^-1的剪切下的粘度与在100s^-1的剪切下的粘度的比值至少为5。

5.如权利要求1至4中任一项所述的工艺，其中所述总厚度与细长多孔网的厚度的比值小于2.1。

6.如权利要求1至5中任一项所述的工艺，其中所述掺杂剂还包含无机材料。

7.如权利要求6所述的工艺，其中所述无机材料为金属氢氧化物或金属氧化物。

8.如权利要求1至7中任一项所述的工艺，其中所述至少一种非溶剂为有机溶剂。

9.如权利要求1至8中任一项所述的工艺，其中所述浸渍是采用挤出涂覆技术进行的。

10.如权利要求1至8中任一项所述的工艺，其中所述浸渍是采用狭缝涂覆技术进行的。

11.如权利要求1至10中任一项所述的工艺，其中所述浸渍间歇地进行。