[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

支撑衬底；

位于所述支撑衬底上方的晶圆结合层；

位于所述晶圆结合层上方的第二电极层，所述第二电极层包括电流阻挡层和反射电流扩展层；

位于所述第二电极层上方的电流注入层；

位于所述电流注入层上方的超晶格结构层；

位于所述超晶格结构层上方的第二导电半导体层；

位于所述第二导电半导体层上方的有源层；

位于所述有源层上方的第一导电半导体层；以及

位于所述第一导电半导体层上方的第一电极层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层在所述晶圆结合层和所述第二电极层之间。

3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括第一欧姆接触电极层，所述第一欧姆接触电极层位于所述第一导电半导体层和所述第一电极层之间。

4.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括第二欧姆接触电极层，所述第二欧姆接触电极层位于所述支撑衬底下方。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极层与所述电流阻挡层竖直地重叠。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述晶圆结合层包括从由Au、Ag、Al、Rh、Cu、Ni、Ti、Pd、Pt、Cr、以及金属硅化物组成的组中选择的至少一种。

7.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述扩散阻挡层包括从由Pt、Pd、Cu、Rh、Re、Ti、W、Cr、Ni、Si、Ta、TiW、TiNi、NiCr、TiN、WN、CrN、TaN、TiWN、以及金属硅化物组成的组中选择的至少一种。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层包括薄膜层，所述薄膜层相对于电绝缘薄膜层或者所述电流注入层形成肖特基接触界面。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层包括从由SiN_x、SiO₂、Al₂O₃、Al、Ag、Rh、Ti、Cr、V、Nb、TiN、Cu、Ta、Au、Pt、Pd、Ru、以及金属硅化物组成的组中选择的一种。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流注入层包括这样的导电薄膜：所述导电薄膜包括含有II、III、或者IV族元素的碳氮化物或者氮化物。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述超晶格结构层包括从InN、InGaN、InAlN、AlGaN、GaN、AlInGaN、AlN、SiC、SiCN、MgN、ZnN、以及SiN组成的组中选择的至少一种。

12.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一欧姆接触电极层包括从由TiN、TiO、ITO、ZnO、RuO₂、IrO₂、In₂O₃、SnO₂、ZnGaO、InZnO、ZnInO、以及Ni-O-Au组成的组中选择的至少一种。

13.一种发光器件，包括：

支撑衬底；

晶圆结合层，所述晶圆结合层位于所述支撑衬底的上方；

电流阻挡层，所述电流阻挡层部分地形成在所述晶圆结合层的上方；

反射电流扩展层，所述反射电流扩展层位于所述晶圆结合层和所述电流阻挡层上方；

电流注入层，所述电流注入层设置在所述反射电流扩展层的横向表面和顶表面上方；

超晶格结构层，所述超晶格结构层位于所述电流注入层的横向表面和顶表面上方；

第二导电半导体层，所述第二导电半导体层位于所述超晶格结构层和所述反射电流扩展层上方；

有源层，所述有源层位于所述第二导电半导体层上方；

第一导电半导体层，所述第一导电半导体层位于所述有源层上方；以及

第一电极层，所述第一电极层位于所述第一导电半导体层上方。

14.根据权利要求13所述的发光器件，进一步包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述晶圆结合层和所述反射电流扩展层之间，其中，所述扩散阻挡层设置在所述电流阻挡层的横向表面处。