[发明专利]降低半导体外延内记忆效应的方法

权利要求书

1.一种降低在半导体材料的外延生长过程中的记忆效应的方法，该方法包括：

提供反应腔室；

提供半导体基底；

提供一种或多种前体气体；

在所述反应腔室内进行掺杂的半导体材料的外延CVD生长，形成第一层；

用包含氢气和含卤素的气体的气体混合物冲刷所述反应腔室；和

在所述反应腔室内进行掺杂的半导体材料的外延CVD生长，形成第二层。

2.权利要求1的方法，其中在约450℃-1800℃的温度下冲刷所述反应腔室。

3.权利要求1的方法，其中在约1300℃-1600℃的温度下冲刷所述反应腔室。

4.权利要求1的方法，其中所述半导体材料选自SiC、GaN、GaAs和SiGe。

5.权利要求1的方法，其中所述卤化气体选自HCl、Cl₂、F₂、CF₄、ClF₃和HBr。

6.权利要求1的方法，其中在所述冲刷工艺过程中，所述半导体基底保持在所述腔室内。

7.权利要求1的方法，其中在所述冲刷工艺之前，从所述腔室中取出所述半导体基底，和在所述冲刷工艺之后更换。

8.权利要求1的方法，其中在所述冲刷工艺之前，从所述腔室中取出所述半导体基底，和在所述冲刷工艺之后用新的半导体基底替换。

9.权利要求1的方法，其中所述掺杂的半导体材料的第一层包括n-掺杂的SiC和所述掺杂的半导体材料的第二层包括p-掺杂的SiC。

10.权利要求1的方法，其中所述掺杂的半导体材料的第一层包括p-掺杂的SiC和所述掺杂的半导体材料的第二层包括掺杂剂浓度低于所述第一层的p-掺杂的SiC。

11.权利要求1的方法，其中所述含卤素的气体的浓度为约0.1-10％。

12.通过权利要求1的方法在结构上形成的碳化硅半导体器件。