[发明专利]一种控制有机分子沉积的方法及有机电子器件

权利要求书

1.一种控制有机分子在基板(10)上沉积的方法，包括以下步骤：

形成基板(10)的表形(16a，16b，16c)，

由汽相沉积的方式沉积有机分子，从而形成至少一个由所述表形(16a，16b，16c)控制的有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)，以及

随后通过汽相沉积在所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)上进一步沉积有机分子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述表形(16a，16b，16c)包括至少一个第一高度和第二高度，而且其中所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)基本上处于所述第一高度和所述第二高度的过渡位置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二高度为较高高度，而且其中所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)基本上位于所述较高高度之下。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中所述至少一个有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)由所述表形(16a，16b，16c)吸附所述有机分子而形成。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述汽相沉积方法是指物理汽相沉积或者化学汽相沉积。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的方法，其中通过汽相沉积来沉积有机分子从而形成至少一个有机成核区的步骤(18a，18b，18c，18d，18e，18f)和/或在所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)上进一步沉积有机分子的步骤至少通过调节基板(10)的温度，有机分子沉积速率或者同时调节两者来控制。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法，其中所述有机分子至少包含一个芳香族部分。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中有机分子是N，N’-二辛基-3，4，9，10-苝四甲酰亚胺(PTCDI-C8)。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的方法，其中基板(10)为固体基板(10)，其包括选自以下的材料：硅，氧化硅，玻璃，塑料，氧化铟锡(ITO)，氧化铝或者相应的衍生物。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中所述基板(10)上的表形(16a，16b，16c)至少部分地由以下方法形成：电子束光刻，光学光刻，软光刻，或者扫描探针显微镜直写。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的方法，其中表形(16a，16b，16c)至少部分地由氧化硅或者金形成。

12.根据权利要求1-11中的任一项所述的方法，其中生长的至少一个晶体含有有机分子和限定的取向。

13.一种有机电子器件，包括基板(10)，所述基板带有根据权利要求1-12中的任一项所述的方法得到的有机分子。

14.根据权利要求13所述的有机电子器件，所述有机电子器件是有机发光二极管(OLED)，有机场效应晶体管(OFET)，有机半导体激光器，或者光电元件。

15.一种根据结合附图在上文中描述的在基板(10)上控制有机分子沉积的方法。

16.一种根据附图在上文中描述的包含具有机分子的基板(10)的有机电子器件。