[发明专利]卤代聚硅烷和制备卤代聚硅烷的热方法有效
| 申请号: | 200980119335.2 | 申请日: | 2009-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN102099104A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 克里斯蒂安·鲍赫;斯文·霍尔;赛耶德-加瓦德·莫赫森尼-阿拉;鲁门·德尔特舍维;格尔德·利波尔德;诺伯特·奥尼尔 | 申请(专利权)人: | 斯帕恩特私人有限公司 |
| 主分类号: | B01J12/00 | 分类号: | B01J12/00;C01B33/107 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 刘继富;张文 |
| 地址: | 卢森堡*** | 国省代码: | 卢森堡;LU |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 卤代聚 硅烷 制备 方法 | ||
1.一种卤代聚硅烷,所述卤代聚硅烷为纯化合物或每个都具有至少一个直接Si-Si键的化合物的混合物,所述卤代聚硅烷的取代基由卤素组成,并且在所述卤代聚硅烷的组成中取代基∶硅的原子比为至少1∶1,其特征在于,所述聚硅烷由环和具有高比例的支化点的链组成,所述支化点相对于全部产物混合物的含量>1%,所述聚硅烷具有I100/I132<1的RAMAN分子振动谱,其中I100表示在100cm-1处的Raman强度,I132表示在132cm-1处的Raman强度,并且在29SiNMR谱中所述聚硅烷在+23ppm至-13ppm、-18ppm至-33ppm和-73ppm至-93ppm的范围内具有其明显的产物信号。
2.如权利要求1所述的卤代聚硅烷,其特征在于,所述卤代聚硅烷主要含有支化的链。
3.如权利要求1或2所述的卤代聚硅烷,其特征在于,所述卤代聚硅烷的取代基仅由卤素组成。
4.如前述权利要求中任一项所述的卤代聚硅烷,其特征在于,卤代聚硅烷的粗混合物的平均链长为n=3-9。
5.如前述权利要求中任一项所述的卤代聚硅烷,其特征在于,所述卤代聚硅烷是油性到粘性的。
6.如前述权利要求中任一项所述的卤代聚硅烷,其特征在于,所述卤代聚硅烷具有从浅黄色至深橙色或红棕色的颜色。
7.如前述权利要求中任一项所述的卤代聚硅烷,其特征在于,所述卤代聚硅烷易溶于惰性溶剂。
8.如权利要求1、2或4至7中任一项所述的卤代聚硅烷,其特征在于,所述卤代聚硅烷不含有氢取代基。
9.一种制备如前述权利要求中任一项所述的卤代聚硅烷的方法,其中使卤代硅烷与硅在高温下反应,其特征在于,在卤代硅烷相对于形成的二卤代亚硅烷(SiX2)过量的条件下进行所述反应。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法在高于700℃的温度下进行。
11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,针对所述硅的颗粒尺寸来调节所述卤代硅烷在所使用的硅的填充床中的停留时间。
12.如权利要求9至11中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法在0.1-1000hPa的压力下进行。
13.如权利要求9至12中任一项所述的方法,其特征在于,使反应器的要被沉积上卤代聚硅烷的部分保持在-70℃至300℃的温度,特别是-20℃至280℃的温度。
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