[发明专利]强电介质薄膜形成用组合物、强电介质薄膜的形成方法及通过该方法形成的强电介质薄膜

权利要求书

1.一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(Pb_xLa_y)(Zr_zTi_(1-z))O₃表示的复合金属氧化物A中混合包含选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，

包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

2.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合金属氧化物A的原料是有机基团经由其氧或氮原子与金属元素键合的化合物。

3.如权利要求2所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合金属氧化物A的原料是选自金属醇盐、金属二醇配位化合物、金属三醇配位化合物、金属羧酸盐、金属β-二酮盐配位化合物、金属β-二酮酯配位化合物、金属β-亚氨基酮配位化合物及金属氨基配位化合物的1种或2种以上。

4.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合氧化物B的原料是含有P(磷)、有机基团经由其氧或氮原子与P(磷)元素键合的化合物。

5.如权利要求4所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合氧化物B的原料含有P(磷)，选自醇盐化合物、二醇化合物、三醇化合物、羧酸盐化合物、β-二酮化合物、β-二酮酯化合物、β-亚氨基酮化合物及氨基化合物的1种或2种以上。

6.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合氧化物B的原料是含有选自Si、Ce及Bi的1种或2种以上、有机基团经由其氧或氮原子与金属元素键合的化合物。

7.如权利要求6所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合氧化物B的原料含有选自Si、Ce及Bi的1种或2种以上，选自金属醇盐、金属二醇配位化合物、金属三醇配位化合物、金属羧酸盐、金属β-二酮盐配位化合物、金属β-二酮酯配位化合物、金属β-亚氨基酮配位化合物及金属氨基配位化合物的1种或2种以上。

8.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，以相对于组合物中的金属总量1摩尔为0.2～3摩尔的比例进一步含有选自β-二酮、β-酮酸、β-酮酯、羟基酸、二醇、三醇、高级羧酸、链烷醇胺及多元胺的1种或2种以上稳定化剂。

9.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，复合氧化物B含有Si，有机溶剂是选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷类、芳香族类及四氢呋喃中的1种或2种以上。

10.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，复合氧化物B含有Si，有机溶剂含有丙二醇。

11.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，复合氧化物B含有P(磷)，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0＜B/A＜0.2。

12.如权利要求11所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，复合氧化物B含有P(磷)，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0.003≤B/A≤0.1。

13.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，复合氧化物B含有Si，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0＜B/A＜0.1。

14.如权利要求13所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，复合氧化物B含有Si，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0.005≤B/A≤0.05。

15.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，复合氧化物B含有Ce，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0＜B/A＜0.05。

16.如权利要求15所述的强电介质薄膜形成用组合物，复合氧化物B含有Ce，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0.005≤B/A≤0.03。