[发明专利]具有带凹槽的环状通孔的裸片堆叠有效

专利信息
申请号: 200980119189.3 申请日: 2009-04-22
公开(公告)号: CN102047418A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 戴维·普拉特 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/20;H01L23/52
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 凹槽 环状 堆叠
【权利要求书】:

1.一种设备,其包含:

衬底,其包括在所述衬底的底表面上的导电环状通孔,所述导电环状通孔具有由所述环状通孔的内壁包围的凹部分;

导电层,其覆盖所述凹部分而被配置为导电槽。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述衬底包括硅,所述导电环状通孔包括铜,且所述导电层包括凸块下材料。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述环状通孔包括覆盖所述衬底的顶表面的一部分的平面末端部分。

4.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括从所述环状通孔的所述平面末端部分延伸出的导电圆柱形柱。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述导电圆柱形柱相对于所述衬底的平面是垂直的。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述衬底是裸片的一部分且所述衬底的所述顶表面是所述裸片的有效表面。

7.根据权利要求6所述的设备,其中所述裸片的所述有效表面包括集成电子装置。

8.一种方法,其包含:

将导电环状通孔形成于衬底的底表面上,所述导电环状通孔具有由所述环状通孔的内壁包围的凹部分;以及

形成覆盖所述凹部分的导电层以形成导电槽。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述导电环状通孔的所述形成包括形成覆盖所述衬底的顶表面的一部分的平面末端部分。

10.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括将从所述衬底延伸出的导电圆柱形柱形成于所述环状通孔的所述平面末端部分上。

11.一种电子封装,其包含:

第一裸片,其包括:

衬底,其具有环状穿衬底通孔(TSV),所述环状TSV包括覆盖所述衬底的第一表面的一部分的平面末端部分;

非导电层,其覆盖所述衬底的第二表面的包围所述环状TSV的部分;以及

凸块下层,其在所述第二表面处安置于所述环状TSV中的凹部分中,所述凸块下层被配置为所述第一裸片的底表面上的导电槽,其中所述第一裸片的所述底表面为所述衬底的所述第二表面;以及

第二裸片,其在所述电子封装中相对于所述第一裸片而布置,所述第二裸片具有形成于所述第二裸片的顶表面上的导电圆柱形柱,其中所述导电圆柱形柱大小经设计以配合到所述第一裸片的所述导电槽中。

12.根据权利要求11所述的电子封装,其进一步包括安置于所述衬底与所述环状TSV的所述平面末端部分之间的导电垫。

13.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述衬底包括硅。

14.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述第一裸片或所述第二裸片中的至少一者包括集成电子装置。

15.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述环状TSV包括铜。

16.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述非导电层包括背侧钝化层。

17.根据权利要求11所述的电子封装,其中所述第一裸片和所述第二裸片经堆叠以使得所述第二裸片的所述导电圆柱形柱配合到所述第一裸片的所述导电槽中,从而在所述第二裸片的所述导电圆柱形柱与所述第一裸片的所述导电槽之间形成导电连接。

18.根据权利要求17所述的电子封装,其进一步包括顶部裸片,其中所述顶部裸片包括金属柱,所述金属柱大小经设计以配合到所述第二裸片的环状通孔中的导电槽中,以使得所述金属柱安置到所述第二裸片的所述导电槽中以在所述金属柱与所述第二裸片的所述导电槽之间形成导电连接。

19.根据权利要求17所述的电子封装,所述电子封装包括一个或一个以上额外裸片,所述一个或一个以上额外裸片通过所述额外裸片中的一者的安置于所述第二裸片的环状通孔中的导电槽中的导电圆柱形柱而连接到所述堆叠。

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