[发明专利]有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其包括：基板；第一电极，其设置于所述基板上；一个或多个有机材料层，其设置于所述第一电极上；第二电极，其设置于所述有机材料层上；以及光提取层，其设置于所述第二电极的顶部上。

2.一种有机发光二极管，其包括：基板；第一电极，其设置于所述基板上；两个或更多个发光单元，其设置于所述第一电极上且包括一个或多个有机材料层；中间电极，其设置于所述发光单元之间；第二电极，其设置于所述发光单元上；以及光提取层，其设置于所述第二电极上。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层被设置为与所述第二电极相接触，且所述光提取层和第二电极之间的折射率的差为0.5以下。

4.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层在可见光波长区域具有超过50％的透射率。

5.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层具有1.3至2.5的平均折射率。

6.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层被形成为表面起伏结构、透镜结构、具有不同折射率的材料的混合层结构，或者梯形断面形状。

7.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层具有多层结构，该多层结构由附于所述第二电极的支撑层和具有光提取结构的层组成。

8.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管为顶部发射类型或两侧发射类型。

9.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管为反向有机发光二极管。

10.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，绝缘材料薄膜被插置在所述第一电极和有机材料层之间。

11.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极由金属氧化物或合金氧化物制备。

12.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极由导电聚合物制备。

13.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极由折射率为1.7至2.3的材料制备。

14.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其在所述第二电极和所述光提取层之间进一步包括保护层。

15.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中，所述保护层通过沉积氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。

16.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中，所述保护层被插置在第二电极和光提取层之间，且所述保护层与第二电极之间的折射率差异和所述保护层与光提取层之间的折射率差异分别为0.5以下。

17.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其在所述第二电极和所述光提取层之间进一步包括粘合层。

18.根据权利要求17所述的有机发光二极管，其中，所述粘合层被插置在第二电极和光提取层之间，且所述粘合层与第二电极之间的折射率差异和粘合层与光提取层之间的折射率差异分别为0.5以下。

19.一种制备有机发光二极管的方法，其包括以下步骤：在基板上形成第一电极；在该第一电极上形成一个或多个有机材料层；在该有机材料层上形成第二电极；以及在该第二电极的顶部上形成光提取层。

20.一种制备有机发光二极管的方法，其包括以下步骤：在基板上形成第一电极；在该第一电极上形成两个或更多个发光单元，其包括一个或多个有机材料层；在形成所述发光单元中的任意一个以后形成中间电极；在该发光单元上形成第二电极；以及在该第二电极上形成光提取层。