[发明专利]用于半导体器件用基板的清洁液

权利要求书

1.一种用于半导体器件用基板的清洁液，其包含钠离子、钾离子、铁离子、由通式(1)表示的硫酸酯的铵盐、和水，

其中钠离子、钾离子和铁离子的各自含量均为1ppb至500ppb；

ROSO₃^-(X)⁺    (1)

其中R是碳数为8-22的烷基或碳数为8-22的烯基，且(X)⁺是铵离子。

2.权利要求1的用于半导体器件用基板的清洁液，其中所述硫酸酯的铵盐的含量是11至70重量％。

3.一种制备用于半导体器件用基板的清洁液的方法，其包括：

用阳离子交换树脂和阴离子交换树脂处理含钠离子、钾离子、铁离子和由通式(2)表示的硫酸酯阴离子的水溶液，由此减少所述水溶液中所述钠离子、钾离子和铁离子的各自的含量；以及，

将非金属的胺系碱试剂添加到用所述阳离子交换树脂和阴离子交换树脂处理过的所述水溶液中；

其中所述清洁液包含钠离子、钾离子、铁离子、由通式(3)表示的硫酸酯的铵盐、和水，并且所述钠离子、钾离子和铁离子的各自的含量均为1ppb至500ppb，

ROSO₃^-        (2)

其中R是碳数为8-22的烷基或碳数为8-22的烯基，

ROSO₃^-(X)⁺    (3)

其中R是碳数为8-22的烷基或碳数为8-22的烯基，且(X)⁺是铵离子。

4.权利要求3的制备用于半导体器件用基板的清洁液的方法，其中在用阳离子交换树脂和阴离子交换树脂处理之前，包含在所述水溶液中的硫酸酯阴离子的供给源的含量是1至80重量％。

5.一种制备半导体器件用基板的方法，其包括：

对配置于硅晶片主平面一侧上的薄膜进行化学和机械抛光；

使用根据权利要求1或2的用于半导体器件用基板的清洁液清洁通过所述化学机械抛光获得的薄膜；和

使在清洁中获得的所述薄膜与超纯水接触。