[发明专利]发光元件、发光装置和电子设备有效
申请号: | 200980118331.2 | 申请日: | 2009-05-07 |
公开(公告)号: | CN102027614A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 濑尾哲史;大泽信晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子设备 | ||
1.一种发光元件,包括:
阳极与阴极之间的含有第一有机化合物的有机化合物膜,
其中所述有机化合物膜被设置成与所述阳极和阴极接触,
其中所述有机化合物膜包括:
添加了发光物质的发光区域;以及
添加了空穴捕获物质的空穴传输区域,
其中所述空穴传输区域位于所述发光区域与所述阳极之间,以及
其中所述空穴捕获物质的HOMO能级比所述第一有机化合物的HOMO能级高0.2eV或以上。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述发光物质是磷光性化合物。
3.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中受电子物质被添加到所述有机化合物膜的第一区域,以及
所述第一区域与所述阳极相接触。
4.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中受电子物质被添加到所述有机化合物膜的第一区域,以及
所述第一区域与所述阳极相接触,以及
所述受电子物质从氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼中选择。
5.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中供电子物质被添加到所述有机化合物膜的第二区域,以及
所述第二区域与所述阴极相接触。
6.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中供电子物质被添加到所述有机化合物膜的第二区域,以及
所述第二区域与所述阴极相接触,以及
所述供电子物质包括碱金属、碱土金属、以及稀有金属。
7.一种发光元件,包括:
在阳极与阴极之间的含有第一有机化合物的有机化合物膜,
其中所述有机化合物膜被设置成与所述阳极和阴极接触,
其中所述有机化合物膜包括:
添加了发光物质的发光区域;以及
添加了电子捕获物质的电子传输区域,
其中所述电子传输区域位于所述发光区域与所述阴极之间,以及
其中所述电子捕获物质的LUMO能级比第一有机化合物的LUMO能级低0.2eV或以上。
8.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
所述发光物质是磷光性化合物。
9.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中受电子物质被添加到所述有机化合物膜的第一区域,以及
所述第一区域与所述阳极相接触。
10.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中受电子物质被添加到所述有机化合物膜的第一区域,以及
所述第一区域与所述阳极相接触,以及
所述受电子物质从氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼中选择。
11.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中供电子物质被添加到所述有机化合物膜的第二区域,以及
所述第二区域与所述阴极相接触。
12.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中供电子物质被添加到所述有机化合物膜的第二区域,以及
所述第二区域与所述阴极相接触,以及
所述供电子物质包括碱金属、碱土金属、以及稀有金属。
13.如权利要求7所述的发光元件,其特征在于,
所述发光元件包括其中空穴捕获物质被添加到所述第一有机化合物的空穴传输区域,以及
其中所述空穴传输区域位于所述发光区域与所述阳极之间,以及
其中所述空穴捕获物质的HOMO能级比第一有机化合物的HOMO能级高0.2eV或以上。
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