[发明专利]电介体膜、电介体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种电介质膜，其特征在于，为由铌酸的八面体嵌段构成的纳米片的单层体或者其层叠体。

2.根据权利要求1所述的电介质膜，其特征在于，所述铌酸纳米片由组成式TiNbO_5-d、Ti₂NbO_7-d、Ti₅NbO_14-d、Nb₃O_8-d、Nb₆O_17-d、TiNb_1-yTa_yO_5-d、Ti₂Nb_1-yTa_yO_7-d、Ti₅Nb_1-yTa_yO_14-d、(Nb_1-yTa_y)₃O_8-d、(Nb_1-yTa_y)₆O_17-d、Ti_1-zNb_zO₅、Ti_2-zNb_zO₇、Ti_5-zNb_zO₁₄中的任一个表示，其中，0＜y≤1；-0.5≤z≤0.5，不包括z＝0；d为氧缺陷量，d＝0～2。

3.根据权利要求1或2所述的电介质膜，其特征在于，所述纳米片具有厚5nm以下(相当于多个原子)、横尺寸100nm～100μm的片状形状。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电介质膜，其特征在于，所述纳米片是通过剥离由以下组成式表示的层状铌氧化物中的任一个或其水合物而得到的，

所述组成式为：A_xTiNbO_5-d、A_xTi₂NbO_7-d、A_xTi₅NbO_14-d、A_xNb₃O_8-d、A_xNb₆O_17-d、A_xTiNb_1-yTa_yO_5-d、A_xTi₂Nb_1-yTa_yO_7-d、A_xTi₅Nb_1-yTa_yO_14-d、A_x(Nb_1-yTa_y)₃O_8-d、A_x(Nb_1-yTa_y)₆O_17-d、A_xTi_1-zNb_zO₅、A_xTi_2-zNb_zO₇、A_xTi_5-zNb_zO₁₄，

其中，A为H、Li、Na、K、Rb、Cs中选择的至少一种，0＜x≤3；0＜y≤1；-0.5≤z≤0.5，不包括z＝0；d为氧缺陷量，d＝0～2。

5.一种电介质元件，在电介质膜的上下配置电极而成，其特征在于，所述电介质膜为权利要求1～4中任一项所述的电介质膜。

6.根据权利要求5所述的电介质元件，其特征在于，所述电介质膜的膜厚为20nm以下，相对介电常数为50以上。