[发明专利]半导体发光元件及其制造方法、灯

权利要求书

1.一种半导体发光元件，是具备基板、在所述基板上依次形成n型半导体层、发光层和p型半导体层而构成的叠层半导体层和在所述p型半导体层的上面形成的透光性电极层的半导体发光元件，

所述透光性电极层是含有Zn作为掺杂元素的层，

所述透光性电极层中的所述Zn含有量，随着接近所述p型半导体层与所述透光性电极层的界面而逐渐地减少，

在所述透光性电极层中形成有构成所述p型半导体层的元素从所述界面向所述透光性电极层内扩散而成的扩散区域。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述扩散区域的距离所述界面5nm的位置的构成所述p型半导体层的元素的浓度为2原子％以上。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述扩散区域的厚度，从所述界面起为3nm以上。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述扩散区域的厚度，从所述界面起为5nm以上。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述扩散区域中的所述掺杂元素的含有量比所述透光性电极层整体的平均浓度低。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述p型半导体层含有GaN。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述透光性电极层含有选自In、Sn、Zn、Al、Ga、Ti、Ce中的至少一种金属的氧化物。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述透光性电极层由IZO形成。

9.一种半导体发光元件的制造方法，包括：

在基板上依次层叠n型半导体层、发光层和p型半导体层，从而形成叠层半导体层的工序；和

在所述p型半导体层的上面形成含有Zn的透光性电极层的工序，

形成所述透光性电极层的工序包括：采用溅射法形成透光性电极膜的成膜工序、和在所述成膜工序后在300℃～800℃下进行加热处理的热处理工序，

制造权利要求1所述的半导体发光元件。

10.一种半导体发光元件的制造方法，包括：

在基板上依次层叠n型半导体、发光层和p型半导体层，从而形成叠层半导体层的工序；和

在所述p型半导体层的上面形成含有Zn的透光性电极层的工序，

形成所述透光性电极层的工序包括：采用溅射法形成透光性电极膜的成膜工序、和在所述成膜工序后在300℃～800℃下进行加热处理的热处理工序，

采用溅射法形成透光性电极膜的成膜工序包括下述工序：通过RF溅射以及DC溅射形成所述透光性电极层，所述RF溅射和所述DC溅射的至少1种具有2个靶。

11.根据权利要求10所述的半导体发光元件的制造方法，制造权利要求1所述的半导体发光元件。

12.一种灯，具有权利要求1所述的半导体发光元件。

13.一种电子设备，装有权利要求12所述的灯。

14.一种机械装置，装有权利要求13所述的电子设备。