[发明专利]传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种传感器，其特征在于，包括：

硅基板，具有氧化硅膜；

源电极、漏电极及栅电极，配置在所述氧化硅膜上；

通道，由多晶硅或者非晶硅构成，配置在所述氧化硅膜上，且与所述源电极及漏电极电连接；以及

反应场，配置在所述氧化硅膜上。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

所述通道为NPN型。

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

所述通道为PNP型。

4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

所述通道为NiN型。

5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

所述通道为PiP型。

6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

所述硅基板在两面上具有所述氧化硅膜；

所述栅电极配置在与配置有所述源电极、漏电极及通道的氧化硅膜相反面的氧化硅膜上。

7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

所述硅基板在两面或者单面上具有氧化硅膜；

所述栅电极配置在与配置有所述源电极、漏电极及通道的氧化硅膜为同一面的氧化硅膜上。

8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

所述硅基板在两面上具有所述氧化硅膜；

所述栅电极与所述反应场配置在所述氧化硅膜的两面中的同一面的氧化硅膜上。

9.一种传感器制造方法，所述传感器包含场效应晶体管，所述场效应晶体管具有半导体基板、形成在所述半导体基板的表面的氧化硅膜、及连接到所述氧化硅膜的电极，而且所述氧化硅膜的一部分用作被检测物的反应场，其特征在于，所述传感器制造方法包括下述步骤：

在硅基板上形成氧化硅膜；

在所述氧化硅膜上形成多晶硅膜或者非晶硅膜；

在所述多晶硅膜或者非晶硅膜中掺杂杂质；

在掺杂了所述杂质的所述多晶硅膜或者非晶硅膜上形成源电极及漏电极；

在所述氧化硅膜上形成栅电极；以及

在所述氧化硅膜上形成反应场。

10.根据权利要求9所述的传感器制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

使用硅的局部氧化法来形成包围所述反应场且其厚度比所述反应场厚的障壁部；以及

形成栅极氧化膜即所述反应场。

11.根据权利要求10所述的传感器制造方法，其特征在于，还包括下述步骤：

在所述氧化硅膜上的、与所述反应场及所述障壁部的位置不同的位置，形成漏电极及源电极。

12.根据权利要求10所述的传感器制造方法，其特征在于，

在形成所述漏电极及源电极的步骤中，

在形成有所述反应场及所述障壁部的半导体基板面的背面侧，形成所述漏电极及源电极。

13.根据权利要求10所述的传感器制造方法，其特征在于，

在形成所述漏电极及源电极的步骤中，

在形成有所述反应场及所述障壁部的半导体基板面的同一面侧，形成所述漏电极及源电极。

14.根据权利要求10所述的传感器制造方法，其特征在于，还包括下述步骤：

将被检测物质识别分子固定在所述反应场内。

15.根据权利要求9所述的传感器制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

使用光刻法形成包围所述反应场且其厚度比所述反应场厚的障壁部；以及

形成栅极氧化膜即所述反应场。

16.一种传感器制造方法，所述传感器包含场效应晶体管，所述场效应晶体管具有半导体基板、形成在所述半导体基板的表面的氧化硅膜、及连接到所述氧化硅膜的电极，而且所述氧化硅膜的一部分用作被检测物的反应场，其特征在于，所述传感器制造方法包括下述步骤：

利用硅的局部氧化法来形成包围所述反应场且其厚度比所述反应场厚的障壁部；以及

形成栅极氧化膜即所述反应场。