[发明专利]三维安装半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200980116751.7 申请日: 2009-05-07
公开(公告)号: CN102017142A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 石原政道 申请(专利权)人: 国立大学法人九州工业大学
主分类号: H01L25/10 分类号: H01L25/10;H01L25/00;H01L25/11;H01L25/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 三维 安装 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种三维安装半导体装置,在布线基板的两面安装有包含半导体芯片的各种电路元件,其中,

上述布线基板在一方的主面以及另一方的主面各自具有用于连接各种电路元件的连接焊盘部及对该连接焊盘部进行连接的布线图案,并且具有用于将一方以及另一方的主面各自的连接焊盘部以及布线图案相互连接的贯通布线部,

在上述布线基板的一方的主面,安装半导体芯片并与该一方的主面上的连接焊盘部连接,并且,在该布线图案的规定的位置,将整体地形成了被支撑部支撑的多个柱电极的柱电极部件固定并电连接,通过在树脂密封后剥离上述支撑部,使上述柱电极端面露出,

在上述布线基板的另一方的主面,在该另一方的主面上的连接焊盘部,配置并连接其它的电路元件。

2.根据权利要求1所述的三维安装半导体装置,其中,上述柱电极部件具有与上述柱电极连接的布线,在剥离上述支撑部时使上述布线露出。

3.根据权利要求2所述的三维安装半导体装置,其中,上述柱电极以及与其连接的布线在绝缘基材上形成,该绝缘基材通过可剥离的粘接剂粘贴在上述支撑部上,将通过剥离上述支撑部而露出的绝缘基材作为保护膜进行使用,并且在该保护膜开孔,设置与通过开口露出的上述布线连接的外部电极。

4.根据权利要求3所述的三维安装半导体装置,其中,上述绝缘基材是玻璃环氧树脂基板及覆盖在其上形成的布线的阻焊剂,将通过剥离上述支撑部而露出的阻焊剂作为保护膜进行使用,并且设置通过在该保护膜开通的开口与上述布线连接的外部电极。

5.根据权利要求1所述的三维安装半导体装置,其中,在上述布线基板的另一方的主面,树脂密封了上述其它的电路元件。

6.根据权利要求1所述的三维安装半导体装置,其中,在上述布线基板的一方的主面,上述树脂密封以使上述柱电极在侧面露出的方式进行。

7.根据权利要求6所述的三维安装半导体装置,其中,上述在侧面露出的柱电极以在其侧面制作弯月面的方式形成填锡,并被软钎焊到母基板的布线图案上。

8.根据权利要求1所述的三维安装半导体装置,其中,上述半导体芯片被接合线连接或者倒装芯片连接于上述一方的主面上的连接焊盘部。

9.根据权利要求1所述的三维安装半导体装置,其中,上述各种电路元件被层叠为3层以上的多层。

10.一种三维安装半导体装置的制造方法,该三维安装半导体装置在布线基板的两面安装有包含半导体芯片的各种电路元件,其中,

上述布线基板在一方的主面以及另一方的主面各自具有用于连接各种电路元件的连接焊盘部及对该连接焊盘部进行连接的布线图案,并且具有用于将一方以及另一方的主面各自的连接焊盘部以及布线图案相互连接的贯通布线部,

形成将被支撑部支撑的多个柱电极整体地形成的柱电极部件,

在上述布线基板的一方的主面,安装半导体芯片并与该一方的主面上的连接焊盘部连接,并且,在该布线图案的规定的位置,固定并电连接上述柱电极部件,在树脂密封后,剥离上述支撑部并使上述柱电极端面露出,

在上述布线基板的另一方的主面,在该另一方的主面上的连接焊盘部,配置并连接其它的电路元件。

11.根据权利要求10所述的三维安装半导体装置的制造方法,其中,上述柱电极部件具有与上述柱电极连接的布线,在树脂密封后,在剥离上述支撑部时使上述布线露出。

12.根据权利要求11所述的三维安装半导体装置的制造方法,其中,上述柱电极以及与其连接的布线在绝缘基材上形成,该绝缘基材通过可剥离的粘接剂粘贴在上述支撑部上,将在树脂密封后通过剥离上述支撑部而露出的绝缘基材作为保护膜进行使用,并且在该保护膜开孔,设置与通过开口露出的上述布线连接的外部电极。

13.根据权利要求12所述的三维安装半导体装置的制造方法,其中,上述绝缘基材是玻璃环氧树脂基板及覆盖在其上形成的布线的阻焊剂,将在树脂密封后通过剥离上述支撑部而露出的阻焊剂作为保护膜进行使用,并且设置通过在该保护膜开通的开口与上述布线连接的外部电极。

14.根据权利要求10所述的三维安装半导体装置的制造方法,其中,在上述布线基板的另一方的主面,树脂密封了上述其它的电路元件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人九州工业大学,未经国立大学法人九州工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980116751.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top