[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

第1层叠体，其依次包括第1散热板、第1绝缘层、第1导电层以及第1半导体元件；

第2层叠体，其依次包括第2散热板、第2绝缘层、第2导电层以及由不同于所述第1半导体的半导体材料形成的第2半导体元件；

连接部，其对所述第1导电层和所述第2导电层进行电连接，

其中，所述第1层叠体和所述第2层叠体之间处于热绝缘状态。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体元件为温度额定上限高于所述第1半导体元件的半导体元件，而对所述第2半导体元件和所述第2导电层之间进行电连接的焊料，由耐热性高于对所述第1半导体元件和所述第1导电层之间进行电连接的焊料的焊接材料构成。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体元件为温度额定上限高于所述第1半导体元件的半导体元件，而对所述第2绝缘层和所述第2散热板之间进行连接的焊料，由耐热性高于对所述第1绝缘层和所述第1散热板之间进行连接的焊料的焊接材料构成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体元件为温度额定上限高于所述第1半导体元件的半导体元件，

还具有搭载所述第1散热板以及所述第2散热板的冷却装置，

所述第2半导体元件被配置在，所述冷却装置的冷却介质的流道中，比所述第1半导体元件更靠上游一侧。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第2散热板被搭载于所述冷却装置上时所占的第2区域的面积，大于所述第1散热板被搭载于所述冷却装置上时所占的第1区域的面积。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1散热板和所述第2散热板于所述冷却装置上的搭载位置，在高度方向上不同。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体和所述第2半导体由温度额定上限不同的半导体材料构成。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第1层叠体和所述第2层叠体之间，配置有树脂制的热绝缘部。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体元件为Si半导体元件，所述第2半导体元件为SiC半导体元件、GaN半导体元件或金刚石半导体元件。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体元件为，被包含在逆变器或转换器中的绝缘栅双极性晶体管，而所述第2半导体元件为，与所述绝缘栅双极性晶体管成对的二极管。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，

包含所述绝缘栅双极性晶体管以及所述二极管的组的逆变器或转换器被构成为，模块化的电力转换装置群。