[发明专利]一种单晶太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造具有钝化的背面和背面接触结构的单晶太阳能电池的方法，包括以下步骤：

-在电池背面整面地施加钝化介质层；

-局部地去除在汇流条和局部接触部区域中的钝化层；

-均匀地涂覆电池背面以形成非结构化的薄金属层，该薄金属层在去除了钝化层的区域中接触衬底材料表面；

-由导电浆料在汇流条和局部接触部区域中生成厚层，以及

-在高于规定的共晶温度的温度下烧结所述厚层，并且在薄金属层与衬底材料表面以及与厚层浆料的导电颗粒之间形成共晶的低欧姆连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层由氧化硅、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化硅-氮化硅层序列、非晶硅和氮化硅或者在其特性方面相似的材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过溅射或蒸镀尤其是含铝材料来形成薄层。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过厚层丝网印刷或模版印刷法在正面生成印制导线和汇流条。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过丝网印刷或模版印刷法在所述背面生成在汇流条和局部接触部区域中的厚层。

6.根据权利要求4和5所述的方法，其特征在于，在共同的热处理步骤中烧结所述厚层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在高于580℃但低于660℃的温度范围内、优选在580℃和620℃之间进行烧结。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述导电浆料含有银。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在高于铝-硅共晶温度577℃、但低于铝熔化温度660℃的温度下烧结厚层。

10.根据上述权利要求中任一项或多项所述方法制造的太阳能电池。