[发明专利]用于衬底的等离子体处理的等离子体处理设备和方法

权利要求书

1.一种等离子体处理设备(30)，包括：

具有工艺室壁(35)的工艺室、工艺气体进入装置和工艺气体分布装置、用于除去残余气体的排气装置、彼此邻近设置因而在其间形成间隙(38)的至少第一电极和第二电极(31、32)、与所述电极(31、32)可电连接的至少一个RF电源(39)；以及面对第二电极(32)的用于衬底(33)的衬底支架(34)，其特征在于，所述第二电极(32)展示开口(36)图案，并且被设置在距所述第一电极(31)一段距离处，使得传送到所述电极(31、32)之间的间隙(38)的工艺气体在操作期间在间隙(38)中不点燃等离子体。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，第一电极(31)与第二电极(32)之间的距离被设置为基本上为1到3mm。

3.根据权利要求1-2所述的设备，其中，所述第二电极被设计为接地平板，具有1-15mm的厚度。

4.根据权利要求1-3所述的设备，其中，所述衬底支持物(34)可连接到第二RF电源(40)。

5.一种等离子体处理设备(50)，包括：具有工艺室壁(35)的工艺室、所述工艺室中的工艺气体进入装置和工艺气体分布装置、用于除去残余气体的排气装置、设置在所述工艺室内可与至少一个RF电源(39)电连接的导电平板(51)、以及面对所述导电平板(51)的用于衬底(33)的衬底支架(34)，其特征在于，所述导电平板(51)展现开口图案，并且被设置在距所述工艺室的后壁(53)一段距离处，使得传送到所述导电平板(51)与所述后壁(53)之间的间隙(55)的工艺气体在操作期间在该间隙(55)中不点燃等离子体。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述衬底支架(34)可连接到第二RF电源(40)。