[发明专利]固态成像装置有效
| 申请号: | 200980115090.6 | 申请日: | 2009-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN102017150A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
| 发明(设计)人: | 山下雄一郎;小林昌弘;渡边高典;小岛伸介;市川武史;大贯裕介 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨小明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
技术领域
本发明涉及固态成像装置,特别是涉及具有像素的固态成像装置,这些像素中的每一个具有能够进行电子快门操作的电荷载流子保持部分。
背景技术
常规上,作为具有像素(所述像素中的每一个具有能够电子快门操作的电荷载流子保持部分)的固态成像装置,已知在日本专利申请公开No.2006-262070和No.2006-246450中公开的配置。
日本专利申请公开No.2006-262070公开了具有通过MOS晶体管在向电源传送光电二极管的电荷载流子的第一模式和向电容器传送在光电二极管中产生的电荷载流子的第二模式之间执行切换的快门控制器的配置。
日本专利申请公开No.2006-246450公开了在光电转换时段的一部分上向电荷载流子蓄积区域传送在光电转换部分中产生的电荷的一部分的配置。
例如,在如日本专利申请公开No.2006-262070和No.2006-246450描述的那样在光电转换时段中向电荷载流子蓄积区域传送在光电转换时段中产生的信号载流子的配置的情况下,会出现以下的问题:将基于保持在电荷载流子蓄积区域中的电荷载流子的信号读出到共用输出线是线顺序的(line-sequential)。在这种情况下,需要在电荷载流子蓄积区域中保持电荷载流子,直到扫描单元选择像素并读出共用输出线上的信号。当在这种状态下将光射入光电转换部分中时,电荷会移动到电荷载流子蓄积区域中。当出现这种电荷载流子移动时,由于混入了在与基本光电转换时段不同的时段中产生的电荷载流子,因此出现噪声。由于电荷载流子混合量随在电荷载流子蓄积区域中保持的时间改变,因此,噪声作为图像阴影出现并且容易被视觉地识别。对于图像质量来说,噪声是不希望的。
发明内容
鉴于以上的问题,本发明的目的是,例如,在于光电转换时段中将电荷载流子传送到电荷载流子蓄积部分的配置中,抑制噪声混入电荷载流子蓄积区域中。
根据本发明,提供一种包括多个像素的固态成像装置,各像素包含:光电转换部分;用于保持来自光电转换部分的信号载流子的第一保持部分;用于放大并读取基于在光电转换部分中产生的信号载流子的信号的放大部分;和用于控制光电转换部分和溢出漏极区域之间的电连接的载流子排出(discharge)控制部分,其中,在埋入沟道结构中形成光电转换部分和第一保持部分之间的载流子路径,并且,通过第一保持部分和放大部分之间的第一传送部分布置第二保持部分。
从结合附图进行的以下描述,本发明的其它特征和优点将会清晰,在这些附图中,类似的附图标记始终表示相同或类似的部分。
被包含于说明书中并构成其一部分的附图示出本发明的实施例,并与说明一起用于解释本发明的原理。
附图说明
图1是根据第一实施例的固态成像装置的等效电路图。
图2A和图2B分别是根据第一实施例的固态成像装置的顶视图和截面图。
图3是根据第一实施例的固态成像装置的驱动脉冲模式。
图4是根据第二实施例的固态成像装置的等效电路图。
图5A、图5B和图5C分别是根据第二实施例的固态成像装置的顶视图和截面图。
图6示出根据第二实施例的固态成像装置的驱动脉冲模式的例子。
图7示出根据第二实施例的固态成像装置的驱动脉冲模式的例子。
图8是根据第三实施例的固态成像装置的等效电路图。
图9A、图9B和图9C示出根据第三实施例的固态成像装置的顶视图和截面图。
图10示出向图8、图9A、图9B和图9C中的控制电极和传送电极中的每一个供给的驱动脉冲。
图11示出向控制电极和传送电极中的每一个供给的驱动脉冲。
图12示出根据第四实施例的固态成像装置的等效电路图。
图13示出根据第四实施例的固态成像装置的顶视图和截面图。
图14示出根据第四实施例的驱动脉冲。
具体实施方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施例。
(第一实施例)
图1是根据本实施例的固态成像装置的等效电路图并且示出6个像素,但是,固态成像装置可被配置为具有更多个的像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





