[发明专利]具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液

权利要求书

1.一种器件，其特征在于，

所述器件具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，

所述空穴注入传输层含有钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，

所述钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物分别是钼的氧化数为+5和+6的复合物或钨的氧化数为+5和+6的复合物。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，

所述钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物分别是与具有羰基及/或羟基的有机溶剂反应生成的钼氧化物或钨氧化物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的器件，其特征在于，

所述钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物分别以钼的氧化数为+5和+6的复合物或钨的氧化数为+5和+6的复合物的阴离子状态存在。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的器件，其特征在于，

所述空穴注入传输层至少含有钼络合物的反应产物及空穴传输性化合物，或者至少含有钨络合物的反应产物及空穴传输性化合物。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的器件，其特征在于，

所述空穴注入传输层由至少层叠含有钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物的层和含有空穴传输性化合物的层而成的层构成。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的器件，其特征在于，

所述空穴注入传输层由至少层叠含有钼络合物的反应产物或钨络合物的反应产物的层、和至少含有钼络合物的反应产物及空穴传输性化合物或至少含有钨络合物的反应产物及空穴传输性化合物的层而成的层构成。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的器件，其特征在于，

所述空穴传输性化合物为空穴传输性高分子化合物。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的器件，其特征在于，

所述器件为含有至少包含发光层的有机层的有机EL元件。

10.一种器件的制造方法，其特征在于，

所述器件具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，

所述制造方法具有：

配制含有钼络合物或钨络合物、和具有羰基及/或羟基的有机溶剂的用于形成空穴注入传输层的墨液的工序；

使用所述用于形成空穴注入传输层的墨液，在所述电极上的任一层上形成空穴注入传输层的工序；和

将所述钼络合物或钨络合物的至少一部分形成钼氧化物或钨氧化物的氧化物化工序。

11.根据权利要求10所述的器件的制造方法，其特征在于，

具有：

在所述电极上的任一层上，形成含有钼络合物或钨络合物的空穴注入传输层的工序；和

将所述空穴注入传输层中的钼络合物或钨络合物的至少一部分形成钼氧化物或钨氧化物的氧化物化工序。

12.根据权利要求10所述的器件的制造方法，其特征在于，

具有：

在配制所述用于形成空穴注入传输层的墨液的工序之后、在形成空穴注入传输层的工序之前具有：实施所述氧化物化工序，并使用氧化物化后的用于形成空穴注入传输层的墨液，从而在所述电极上的任一层上形成含有钼氧化物或钨络合物的空穴注入传输层的工序。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，

所述氧化物化工序在氧存在下实施。

14.根据权利要求10～13中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，

所述氧化物化工序包含加热工序。

15.根据权利要求10～14中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，

所述氧化物化工序包含光照射工序。

16.根据权利要求10～15中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，

所述氧化物化工序包含使活性氧发挥作用的工序。

17.根据权利要求10～16中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，

所述氧化物化工序包含使活性氧发挥作用的工序。