[发明专利]用于可重配置的电路的装置、方法和系统

权利要求书

1.一种用于可重配置的电路的装置，包括：

纳米级材料层；以及

可编程部件，其紧邻于所述纳米级材料层的至少第一部分；

其中所述可编程部件可编程为第一状态，以通过第一方式干扰所述纳 米级材料层的至少所述第一部分中的电子波，以及可编程为第二状态， 以通过第二方式干扰所述电子波。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述纳米级材料层包括石墨烯 层。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述可编程部件的所述第一状态 和第二状态中的一种状态包括第一纳米级电荷分布。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述可编程部件的所述第一状态 和第二状态中的一种状态包括第一纳米级电荷分布。

5.如权利要求3所述的装置，其中来自所述第一纳米级电荷分布的 干扰被配置为在所述石墨烯层的至少所述第一部分中生成金属性状态。

6.如权利要求3所述的装置，其中来自所述第一纳米级电荷分布的 干扰被配置为在所述石墨烯层的至少所述第一部分中生成半导电状态。

7.如权利要求3所述的装置，其中来自所述第一纳米级电荷分布的 干扰被配置为在所述石墨烯层的至少所述第一部分中生成绝缘状态。

8.如权利要求3至7中任一项所述的装置，其中所述可编程部件可 从所述第一状态动态重新配置为所述第二状态。

9.如权利要求3至7中任一项所述的装置，其中所述第一状态和所 述第二状态中的另一种状态包括第二纳米级电荷分布。

10.如权利要求3至7中任一项所述的装置，其中所述第一纳米级电 荷分布通过激光打印机印制在所述可编程部件上。

11.如权利要求3至7中任一项所述的装置，其中所述第一纳米级电 荷分布通过电子束光刻印制在所述可编程部件上。

12.如权利要求6所述的装置，其中所述半导电状态是n型。

13.如权利要求6所述的装置，其中所述半导电状态是p型。

14.如权利要求2所述的装置，还包括：第一接触，耦合至所述石墨 烯层的第一边缘；以及第二接触，耦合至所述石墨烯层的第二边缘。

15.如权利要求3至7中任一项所述的装置，其中所述第一纳米级电 荷分布是周期性电荷分布。

16.如权利要求3至7、12-14中任一项所述的装置，其中所述可编 程部件包括绝缘体材料。

17.如权利要求1所述的装置，其中所述纳米材料层包括同构磁隧道 结层。

18.如权利要求17所述的装置，其中所述可编程部件包括施加磁场 的部分。

19.如权利要求1所述的装置，其中所述可编程部件包括施加磁场的 部分。

20.如权利要求18所述的装置，其中来自所述施加磁场的部分的干 扰被配置为在所述同构磁隧道结层的至少所述第一部分中生成金属性状 态。

21.如权利要求18所述的装置，其中来自所述施加磁场的部分的干 扰被配置为在所述同构磁隧道结层的至少所述第一部分中生成半导电状 态。

22.如权利要求18所述的装置，其中来自所述施加磁场的部分的干 扰被配置为在所述同构磁隧道结层的至少所述第一部分中生成绝缘状 态。

23.如权利要求18至22中任一项所述的装置，其中所述施加磁场的 部分可动态重新配置。