[发明专利]为小直径、高密度晶片贯通孔裸片堆叠形成对准/对心导引件的方法

权利要求书

1.一种形成裸片堆叠的方法，其包含：

在第一裸片中形成多个晶片贯通孔；以及

在第一裸片中形成一个或一个以上对准特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其包含在第二裸片中形成一个或一个以上对准特征。

3.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述第二裸片堆叠在所述第一裸片上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述对准特征包含多个开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个开口延伸至少与所述多个晶片贯通孔离所述裸片的表面一样远的距离。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述对准特征包含从所述裸片延伸的多个突起。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述一个或一个以上对准特征包含通过光刻、立体平版印刷、湿式蚀刻、干式蚀刻、钝化或其组合来形成所述对准特征。

8.根据权利要求1所述的方法，其包含拾取所述第一裸片和将所述第一裸片放置到所述第二裸片上，使得所述第一裸片的所述对准特征啮合所述第二裸片的所述对准特征。

9.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述裸片堆叠放置在固化炉中。

10.一种制造裸片堆叠的方法，其包含：

在第一裸片上形成多个晶片贯通孔；

在第一裸片上形成多个凹座；以及

在第二裸片上形成多个突起，其中所述多个突起经配置以啮合所述多个凹座，以

使所述第二裸片的多个接合衬垫与所述第一裸片的所述多个晶片贯通孔对准。

11.根据权利要求9所述的方法，其包含将所述第一裸片堆叠到所述第二裸片上，使得所述多个凹座啮合所述多个突起。

12.根据权利要求9所述的方法，其包含将所述第二裸片堆叠到所述第一裸片上，使得所述多个突起啮合所述多个凹座。

13.根据权利要求9所述的方法，其中在第一裸片上形成所述多个凹座包含在安置于第一天上的层中形成多个凹座。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述层包含钝化层。

15.一种制造半导体装置的方法，其包含：

在晶片中形成多个对准特征；

将所述晶片切割成多个裸片，使得每一裸片包含所述多个对准特征中的一者或一者以上；

在所述多个裸片中的第一裸片中形成多个晶片贯通孔。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成多个对准特征包含在所述晶片的多个裸片街处形成所述多个对准特征。

17.一种裸片堆叠，其包含：

第一裸片，其具有第一多个对准特征和多个晶片贯通孔；以及

第二裸片，其具有第二多个对准特征和多个接合衬垫，其中所述第二裸片的所述第二多个对准特征经配置以啮合所述第一裸片的所述第一多个对准特征，使得所述第二裸片的所述多个接合衬垫与所述第一裸片的所述多个晶片贯通孔对准。

18.根据权利要求9所述的裸片堆叠，其中所述第二裸片的所述多个接合衬垫经配置以啮合所述第一裸片的所述多个晶片贯通孔。

19.根据权利要求15所述的裸片堆叠，其中所述第一多个对准特征包含多个凹座。

20.根据权利要求17所述的裸片堆叠，其中所述第二多个对准特征包含从所述裸片的表面延伸的多个突起。

21.根据权利要求15所述的裸片堆叠，其中所述第一多个对准特征和所述第二多个对准特征包含多个突起。

22.一种系统，其包含：

电子装置，其包含：

处理器；

一个或一个以上半导体装置，其中所述一个或一个以上半导体装置包含裸片堆叠，其中所述裸片堆叠包含第一裸片，其具有第一多个对准特征和晶片贯通孔。

23.根据权利要求21所述的系统，其中根据权利要求21所述的裸片堆叠，其中所述裸片堆叠包含第二裸片，其具有第二多个对准特征。

24.一种裸片堆叠，其包含：

第一裸片，其具有第一多个突起和多个晶片贯通孔；以及

第二裸片，其具有第二多个突起，其中所述第二多个突起经配置以啮合所述第一多个突起。