[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置有效
| 申请号: | 200980112428.2 | 申请日: | 2009-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN101999173A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
| 发明(设计)人: | 清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行;桥本征典;若松贞次 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 齐葵;王诚华 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 装置 | ||
1.一种薄膜太阳能电池制造装置,其特征在于,包括:
成膜室,在基板的成膜面上通过CVD法形成膜;
电极单元,具有:施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极;
掩膜,覆盖所述基板的周缘部;以及
排气管道,设置在所述阴极单元的周围,
在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间,
在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道,
所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接,
导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池制造装置,其特征在于,所述阴极是对所述基板的所述成膜面供给所述成膜气体的簇射极板。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池制造装置,其特征在于,所述电极单元进一步具有使所述阳极相对于所述阴极接近、远离的驱动部,
通过利用所述驱动部使保持所述基板的所述阳极向着所述阴极移动,所述掩膜部覆盖所述基板的所述周缘部。
4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池制造装置,其特征在于,进一步包括搬送部,将所述基板搬送到所述阳极与所述阴极单元之间,
所述搬送部具有与所述基板的所述成膜面抵接的第一夹持片、以及与所述基板的背面抵接的第二夹持片,
由该第一夹持片与第二夹持片夹持所述基板,
所述阳极相对于所述阴极单元接近时,所述第一夹持片远离所述第二夹持片,
所述阳极相对于所述阴极单元远离时,所述第一夹持片接近所述第二夹持片,
在所述基板的所述成膜面上形成所述膜时,在比所述搬送部的所述第一夹持片的更靠近内周侧的位置上,所述基板的周缘部被所述掩膜覆盖。
5.根据权利要求3或4所述的薄膜太阳能电池制造装置,其特征在于,通过所述掩膜部覆盖所述基板的所述周缘部,所述成膜空间所在的空间与所述搬送部所在的空间被分离。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的薄膜太阳能电池制造装置,其特征在于,在所述阳极中内置有用于调整所述基板的温度的温度控制部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





