[发明专利]可编程存储器修复方案无效
| 申请号: | 200980112239.5 | 申请日: | 2009-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN102113058A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
| 发明(设计)人: | A·E·翁格;F·何 | 申请(专利权)人: | 拉姆伯斯公司 |
| 主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可编程 存储器 修复 方案 | ||
1.一种半导体存储器器件,包括:
多个数据存储元件,包括主数据存储元件以及一个或多个冗余数据存储元件,所述主数据存储元件具有相应的地址以用于存储器访问操作;以及
修复电路,其是与所述存储器器件分离的另一半导体器件可编程的,用以识别所述主数据存储元件的故障地址,其中所述修复电路配置用于将存储器访问从具有已识别故障地址的主数据存储元件重新路由到相应的冗余数据存储元件。
2.如权利要求1所述的存储器器件,其中所述修复电路包括一个或多个地址匹配寄存器,其配置用于识别所述主数据存储元件的故障地址。
3.如权利要求2所述的存储器器件,其中当所述存储器器件针对所述存储器访问操作而加电之后,所述地址匹配寄存器是可编程的。
4.如权利要求2所述的存储器器件,其中所述主数据存储元件被组织成主行,并且所述冗余数据存储元件形成第一冗余行,其中所述地址匹配寄存器是可编程的用以将外部访问从故障主行重新路由到所述第一冗余行。
5.如权利要求2所述的存储器器件,其中所述主数据存储元件被组织成主列,并且所述冗余数据存储元件形成第一冗余列,其中所述地址匹配寄存器是可编程的用以将外部访问从故障主列重新路由到所述第一冗余行。
6.如权利要求2所述的存储器器件,其中所述地址匹配寄存器是可编程的用以将外部访问从单个故障主数据存储元件重新路由到所述冗余数据存储元件中的一个。
7.如权利要求2所述的存储器器件,其中所述修复电路包括地址线用以接收所述存储器访问操作的地址,所述修复电路还配置用于使用所述地址线对所述地址匹配寄存器进行编程。
8.如权利要求7所述的存储器器件,其中所述修复电路使用所述地址线并结合设置脉冲信号来对所述地址匹配寄存器进行编程。
9.如权利要求8所述的存储器器件,其中所述地址匹配寄存器在所述存储器器件的修复模式中是可编程的,并且所述修复电路包括设置脉冲生成电路,其配置用于响应于存储器访问指令而在所述修复模式中生成所述设置脉冲信号。
10.如权利要求9所述的存储器器件,其中所述修复模式响应于设置存储器寄存器指令而被激活。
11.如权利要求9所述的存储器器件,其中所述设置脉冲生成电路配置用于响应于激活、读和写指令而在所述修复模式中生成所述设置脉冲信号。
12.如权利要求1所述的存储器器件,其中所述存储器器件被封装。
13.如权利要求12所述的存储器器件,其中所述存储器器件与另一半导体器件被封装在单个封装中。
14.如权利要求13所述的存储器器件,其中所述另一半导体器件包括专用集成电路。
15.一种系统,包括:
存储器控制器单元;以及
半导体存储器器件,其由所述存储器控制器单元控制,用以执行存储器访问操作,所述存储器器件包括多个数据存储元件和修复电路,所述数据存储元件包括主数据存储元件以及一个或多个冗余数据存储元件,所述主数据存储元件具有相应的地址以用于存储器访问操作,所述修复电路包括一个或多个地址匹配寄存器,其在所述存储器器件加电之后是所述存储器控制单元可编程的,其中被编程的地址匹配寄存器配置用于识别所述主数据存储元件的故障地址,并且所述修复电路配置用于将存储器访问从具有已识别故障地址的主数据存储元件重新路由到相应的冗余数据存储元件。
16.如权利要求15所述的系统,其中所述存储器控制器单元实现在第一集成电路器件中,并且所述存储器器件实现在第二集成电路器件中。
17.如权利要求15所述的系统,其中所述存储器控制器单元:
包括非易失性存储器,用以存储关于所述故障地址的修复信息,以及
配置用于基于存储的修复信息对所述地址匹配寄存器进行编程。
18.如权利要求15所述的系统,其中所述存储器控制器单元:
包括存储器测试功能,用以测试所述主数据存储元件,以及
配置用于基于所述测试的结果对所述地址匹配寄存器进行编程。
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