[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

发光层，所述发光层位于所述第一导电半导体层上；

保护层，所述保护层位于所述发光层上；

纳米层，所述纳米层位于所述保护层上；以及

第二导电半导体层，所述第二导电半导体层位于所述纳米层上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二导电半导体层包括凹凸的上表面。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护层包括氮化物半导体层。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护层具有5nm至100nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述纳米层包括由包括导电电子的单金属、包括所述单金属的金属合金以及包括所述单金属的金属氮化物组成的组中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述纳米层包括从由铂(Pt)、钯(Pd)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、镓(Ga)、铟(In)、铁(Fe)、锌(Zn)、锡(Sn)、钴(Co)、钌(Ru)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)和钼(Mo)组成的组中的至少一种的单金属、包括所述单金属的金属合金以及包括所述单金属的金属氮化物组成的组中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述纳米层包括具有的尺寸为1nm至300nm的金属粒子。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二导电半导体层接触所述保护层。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电半导体层包括电子注入层，并且所述第二导电半导体层包括空穴注入层。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电半导体层包括空穴注入层，并且所述第二导电半导体层包括电子注入层。

11.根据权利要求1所述的发光器件，包括：

第一电极层，所述第一电极层位于所述第一导电半导体层下方。

12.一种制造发光器件的方法，包括：

形成第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上形成发光层；

在所述发光层上形成保护层；

在所述保护层上形成纳米层；以及

在所述纳米层上形成第二导电半导体层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二导电半导体层包括凹凸的上表面。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述保护层包括氮化物半导体层。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述纳米层包括由包含导电电子的单金属、包括所述单金属的金属合金以及包括所述单金属的金属氮化物组成的组中的至少一种。