[发明专利]半导体发光装置及半导体发光装置制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其包括：

A)第一化合物半导体层，它是n型导电型；

B)活性层，它形成于所述第一化合物半导体层上并由化合物半导体构成；

C)第二化合物半导体层，它形成于所述活性层上且是p型导电型；

D)第一电极，它与所述第一化合物半导体层电连接；以及

E)第二电极，它形成于所述第二化合物半导体层上，

其中所述第二电极由氧化钛构成，具有4×10²¹/cm³以上的电子浓度，并反射从所述活性层发射的光。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述第二电极掺杂有铌或钽。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中用于构成所述第一化合物半导体层、所述活性层及所述第二化合物半导体层的化合物半导体是Al_XGa_YIn_1-X-YN，这里0≤X≤1，0≤Y≤1且0≤X+Y≤1。

4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述氧化钛的晶体结构是金红石结构。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述第二化合物半导体层的形成有所述第二电极的顶面具有(0001)面。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中用于构成所述第二电极的材料具有导电率随温度的升高而增大的特性。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中在所述第二电极中，由以下表达式(1)表示的等离子体频率ω为425nm以下：

ω＝{(n_e·e²)/(ε₀·m_e)}^1/2    (1)

这里，n_e是电子密度，e是基本电荷，ε₀是真空介电常数，m_e是电子的静止质量。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中从所述活性层发射的光是通过所述第一化合物半导体层向外出射的。

9.一种半导体发光装置制造方法，其包括至少以下步骤：

a)通过在基板上依次层叠n型导电型第一化合物半导体层、活性层及p型导电型第二化合物半导体层，形成发光部；以及

b)接着，在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，

其中用于构成所述第一化合物半导体层、所述活性层及所述第二化合物半导体层的化合物半导体是Al_XGa_YIn_1-X-YN，这里0≤X≤1，0≤Y≤1且0≤X+Y≤1；并且

在所述步骤b)中，在所述第二化合物半导体层的具有(0001)面的顶面上，由具有金红石晶体结构的氧化钛构成的所述第二电极是在经过杂质掺杂而使电子浓度为4×10²¹/cm³以上的状态下以外延方式生长而成。

10.如权利要求9所述的半导体发光装置制造方法，其中所述杂质为铌或钽。

11.如权利要求9所述的半导体发光装置制造方法，其中所述第二电极是在脉冲激光沉积方法的基础上形成的。

12.如权利要求9所述的半导体发光装置制造方法，其中用于构成所述第二电极的材料具有导电率随温度的升高而增大的特性。

13.如权利要求9所述的半导体发光装置制造方法，其中在所述第二电极中，由以下表达式(1)表示的等离子体频率ω为425nm以下：

ω＝{(n_e·e²)/(ε₀·m_e)}^1/2    (1)

这里，n_e是电子密度，e是基本电荷，ε₀是真空介电常数，m_e是电子的静止质量。

14.如权利要求9所述的半导体发光装置制造方法，其中从所述活性层发射的光是通过所述第一化合物半导体层向外出射的。