[发明专利]具有间隔层的机电装置

说明书

背景技术

机电系统(MEMS)包括机械元件、激活器和电子元件。可使用沉积、蚀刻和/或其它蚀刻掉衬底和/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置和机电装置的加工工艺来产生机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文所使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指的是一种使用光学干涉原理选择性地吸收且/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，其中之一或两者可能整体或部分透明且/或具有反射性，且能够在施加适当电信号时进行相对运动。在特定实施例中，一个板可包含沉积在衬底上的固定层，且另一个板可包含通过气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述，一个板相对于另一个板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。这些装置具有广范围的应用，且在此项技术中，利用且/或修改这些类型装置的特性使得其特征可被发掘用于改进现有产品和创建尚未开发的新产品，将是有益的。

发明内容

在某些实施例中，一种装置包含电极、固定反射器、包含导电材料的可移动式反射器，其中干涉式调制空腔界定于所述可移动式反射器与所述固定反射器之间，所述可移动式反射器可在至少第一位置、第二位置与第三位置之间移动。所述装置还包含定位于所述固定反射器与所述电极之间的间隔层，所述间隔层提供滤光空腔。

在某些实施例中，一种装置包含电极、固定反射器、包含导电材料的可移动式反射器，其中干涉式调制空腔界定于所述可移动式反射器与所述固定反射器之间，所述可移动式反射器可在至少第一位置、第二位置与第三位置之间移动。所述装置还包含定位于所述固定反射器与所述电极之间的间隔层，从装置的横截面视图来说，所述间隔层具有大于或等于160nm的厚度。

在某些实施例中，所述装置包含电极、用于反射光的第一固定装置、用于反射光的第二可移动式装置。所述第二反射装置包含导电材料，其中干涉式调制空腔界定于所述第一反射装置与所述第二反射装置之间。所述第二反射装置可在至少第一位置、第二位置与第三位置之间移动。所述装置还包含用于分离所述第一反射装置与所述电极的装置，所述分离装置提供滤光空腔。

在某些实施例中，一种制造用于调制光的装置的方法包含形成电极、形成间隔层、形成固定反射器及形成包含导电材料的可移动式反射器。干涉式调制空腔界定于所述可移动式反射器与所述固定反射器之间。所述可移动式反射器可在至少第一位置、第二位置与第三位置之间移动。所述间隔层提供滤光空腔。

附图说明

图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。

图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。

图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜位置对所施加电压的图。

图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行和列电压的说明。

图5A说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示数据的一个示范性帧。

图5B说明可用于写入图5A的帧的行和列信号的一个示范性时序图。

图6A和图6B是说明包含多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例的系统框图。

图7A是图1的装置的横截面。

图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。

图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。

图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。

图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。

图8是多态干涉式调制器的示意性侧视横截面视图。

图9是具有间隔层的多态干涉式调制器的示意性侧视横截面视图。

图10是包括具有不同间隔层的红色、绿色及蓝色三态干涉式调制器的像素的示意性横截面侧视图。

图11展示红色三态调制器的反射光谱的实例。

图12展示具有不同间隔层的红色、绿色及蓝色三态调制器的组合模型化反射光谱的实例。

图13展示图12中所感知的红色、绿色及蓝色在CTE 1976图中的位置。

图14展示三位设计的显示器的组合反射光谱的实例。

图15展示图14中所感知的红色、绿色及蓝色在CTE 1976图中的位置。

具体实施方式