[发明专利]具有共享扩散区域的堆叠式图像传感器有效
| 申请号: | 200980109452.0 | 申请日: | 2009-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101978499A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
| 发明(设计)人: | T·J·安德森;J·P·麦卡滕;J·R·苏马;C·A·蒂瓦鲁斯;J·T·坎普顿 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘金凤;李家麟 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 共享 扩散 区域 堆叠 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
传感器晶片,其包括布置在二维位置阵列的相应位置处的多个光敏元件,其中阵列位置的子集不包括光敏元件,而是包括扩散区域,所述扩散区域中的每一个由所述光敏元件中的两个或两个以上的光敏元件所共享;以及
电路晶片,其在该传感器晶片的下面;
其中该传感器晶片利用多个晶片间互连而与该电路晶片互连,所述多个晶片间互连耦合至位于阵列位置中不包括光敏元件的相应阵列位置处的所述共享扩散区域中的相应共享扩散区域。
2.如权利要求1的图像传感器,其中该电路晶片包括用于处理由所述光敏元件产生的信号的多个电路组,其中所述多个电路组中的每一个与所述晶片间互连中的对应晶片间互连相关联并且由所述光敏元件中的两个或两个以上的光敏元件所共享。
3.如权利要求1的图像传感器,其中不包括光敏元件的阵列位置对应于该图像传感器的滤色器阵列图案的相应指定元件。
4.如权利要求1的图像传感器,其中该传感器晶片内的所述扩散区域中的给定扩散区域经由所述晶片间互连中的对应晶片间互连而耦合至该电路晶片内的对应扩散区域。
5.如权利要求1的图像传感器,其中该二维阵列包括多个位置的重复群组,其中给定的此类群组包括多个位置,所述多个位置包括布置在不包括光敏元件的中心位置周围的光敏元件。
6.如权利要求5的图像传感器,其中所述共享扩散区域的给定扩散区域被布置在该给定群组的该中心位置处并且由位于布置在该中心位置周围的所述位置的至少子集中的每个位置处的所述光敏元件共享。
7.如权利要求1的图像传感器,其中共享所述共享扩散区域中的给定扩散区域的所述光敏元件中的每一个经由该传感器晶片的对应传输栅极耦合至该共享扩散区域。
8.如权利要求6的图像传感器,其中该位置阵列包括位置的列及行的矩形阵列。
9.如权利要求8的图像传感器,其中该给定群组包括以下这样的四个位置,所述四个位置包括光敏元件并且被布置在不包括光敏元件而是包括所述共享扩散区域之一的单一中心位置周围。
10.如权利要求9的图像传感器,其中包括光敏元件的所述四个位置处的光敏元件根据该图像传感器的滤色器阵列图案对应于全色元件。
11.如权利要求9的图像传感器,其中包括光敏元件的所述四个位置中的两个位置处的光敏元件包括对应于该图像传感器的滤色器阵列图案的第一色彩的光敏元件,并且所述四个位置中的剩余两个位置处的光敏元件包括对应于该滤色器阵列图案的第二色彩的光敏元件。
12.如权利要求8的图像传感器,其中该给定群组包括以下这样的六个位置,所述六个位置包括光敏元件并且被布置在不包括光敏元件而是包括所述共享扩散区域之一的单一中心位置周围。
13.如权利要求6的图像传感器,其中所述位置阵列包括六边形位置阵列。
14.如权利要求13的图像传感器,其中该给定群组包括以下这样的六个位置,所述六个位置包括光敏元件并且被布置在不包括光敏元件而是包括所述共享扩散区域之一的单一中心位置周围。
15.如权利要求14的图像传感器,其中包括光敏元件的所述六个位置中的两个相邻位置处的光敏元件根据该图像传感器的滤色器阵列图案包括相同色彩元件,而所述六个位置中的剩余位置处的所述光敏元件根据该滤色器阵列图案包括全色元件。
16.如权利要求13的图像传感器,其中该给定群组包括以下这样的三个位置,所述三个位置包括光敏元件并且被布置在不包括光敏元件而是包括所述共享扩散区域之一的单一中心位置周围。
17.如权利要求1的图像传感器,其中所述阵列位置是根据包括正方形及八边形的斜截正方形分块图案而布置的,并且其中对应于所述正方形的指定子集的阵列位置中的特定阵列位置不包括光敏元件而是包括所述共享扩散区域中的相应共享扩散区域。
18.如权利要求1的图像传感器,其中不包括光敏元件的阵列位置中的一个或多个阵列位置具有在该图像传感器的滤色器阵列图案内与其相关联的各自的黑色滤光器元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





