[发明专利]制造磁阻元件的制造方法和磁阻元件的制造设备

权利要求书

1.一种制造磁阻元件的方法，该方法的隧道势垒形成步骤包括：

形成具有第一厚度的金属层的金属层形成步骤；

进行等离子体处理的等离子体处理步骤，所述等离子体处理将所述金属层暴露于惰性气体的等离子体中以蚀刻所述金属层从而具有比第一厚度小的第二厚度；和

对经受过等离子体处理的金属层进行氧化以形成金属氧化物的氧化步骤，这形成隧道势垒。

2.根据权利要求1的制造磁阻元件的方法，其中所述第一厚度为10(包括端值)至20(包括端值)。

3.根据权利要求1的制造磁阻元件的方法，其中所述第二厚度为6(包括端值)至14(包括端值)。

4.根据权利要求1的制造磁阻元件的方法，其中所述金属层含有镁。

5.根据权利要求1的制造磁阻元件的方法，该方法还包括：

在隧道势垒上形成金属覆盖层的金属覆盖层形成步骤。

6.根据权利要求1的制造磁阻元件的方法，其中所述金属覆盖层具有2(包括端值)至5(包括端值)的厚度。

7.根据权利要求1的制造磁阻元件的方法，其中所述惰性气体包括选自Ar气、Kr气和Xe气中的至少一种气体。

8.根据权利要求1的制造磁阻元件的方法，其中

在隧道势垒形成步骤中，在非晶态铁磁性层上形成隧道势垒，以及

隧道势垒形成步骤包括：

使隧道势垒结晶的第一退火步骤，和

在温度高于第一退火步骤的温度下使铁磁性层结晶的第二退火步骤。

9.一种用于制造磁阻元件的设备，该设备包含：

薄膜沉积室，其包含经配置以沉积薄膜的薄膜沉积设备；

蚀刻室，其包含用于引入惰性气体的气体引入装置和具有用于等离子体产生的电极的干式蚀刻设备；

氧化室，其包含经配置以进行氧化处理的氧化处理设备；

基材输运设备，其经配置以在所述室中输运基材；和

控制设备，其经配置以控制所述薄膜沉积设备、所述干式蚀刻设备、所述氧化处理设备和所述基材输运设备，

其中所述控制设备进行以下操作：在所述薄膜沉积室中进行形成金属层的操作，在所述蚀刻室中进行将金属层暴露于惰性气体的等离子体中以蚀刻金属层从而具有比第一厚度小的第二厚度的等离子体处理的操作，以及在所述氧化室中对经受过等离子体处理的金属层进行氧化的操作。