[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 200980107710.1 | 申请日: | 2009-03-02 |
公开(公告)号: | CN101960588A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 吉川则之;福田敏行;古屋敷纯也;丝冈敏昌;宇辰博喜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
具有外部端子和元件搭载部的基材;
搭载在所述元件搭载部上的半导体元件;
电连接所述外部端子和所述半导体元件的连接部;
覆盖所述半导体元件和所述连接部的第一树脂;
其中,作为所述基材和所述第一树脂的边界面的端部的边界线中、至少存在于所述基材以及所述第一树脂被切断的切断面的部分由被覆层覆盖。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
在所述切断面,所述基材所形成的部分存在比所述第一树脂所形成的部分更向外突出的部分。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述基材是具有所述元件搭载部和所述外部端子的基板。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述第一树脂覆盖所述基板的搭载所述半导体元件的表面的一部分。
5.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述连接部是金属细线或者突起块。
6.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述基板为矩形板状,
所述外部端子配置在所述基板的相对置的两边,
所述切断面形成所述基板的未配置所述外部端子的相对置的两边。
7.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述切断面包括曲面。
8.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述被覆层完全覆盖所述第一树脂和所述基板的边界线。
9.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述元件搭载部是压料垫,
存在于所述切断面的所述边界线是所述外部端子和所述第一树脂的边界线。
10.如权利要求9所述的半导体装置,其中,
在所述外部端子存在由第二树脂支承的部分,
在所述切断面还存在作为所述外部端子和所述第二树脂的边界面的端部的第二树脂边界线。
11.如权利要求1~10中任一项所述的半导体装置,其中,
所述第一树脂是透光性树脂,
所述被覆层的透过率为85%以上。
12.如权利要求1~11中任一项所述的半导体装置,其中,
所述被覆层的折射率为1.8以下。
13.一种半导体装置的制造方法,其包括:
在具有贯通孔且在该贯通孔形成有外部端子的基板连结体上搭载半导体元件的工序;
将所述半导体元件和所述外部端子的一部分电连接的工序;
用树脂密封所述半导体元件和所述外部端子的一部分的工序;
切削所述基板连结体在厚度方向上的一部分和所述树脂,使作为基板连结体和所述树脂的边界面的端部的边界线重新露出的露出工序X;
形成覆盖所述边界线的被覆层的工序;
切断在所述露出工序X中未被切削而剩余的所述基板连结体在厚度方向上的剩余部分而使所述基板连结体形成各个基板的工序。
14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述贯通孔为狭缝状,且在所述基板连结体上形成多个且相互平行,
所述边界线与所述贯通孔呈狭缝状延伸的方向大致成直角。
15.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述露出工序X是用剖面为U字形的刀片进行切削的工序。
16.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述露出工序X是用侧面带锥度的刀片进行切削的工序。
17.一种半导体装置的制造方法,其包括:
将半导体元件搭载到作为具有压料垫和外部端子的引线框的基材的所述压料垫上的工序;
将所述半导体元件和所述外部端子电连接的工序;
用第一树脂密封所述半导体元件和所述外部端子的工序;
切削所述外部端子在厚度方向上的一部分和所述第一树脂,使作为所述外部端子和所述第一树脂的边界面的端部的边界线露出的露出工序Y;
形成覆盖所述边界线的被覆层的工序;
切断在所述露出工序Y中未被切削而剩余的所述外部端子在厚度方向上的剩余部分的工序。
18.如权利要求17所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述外部端子具有金属层和由第二树脂构成的第二树脂层的双层结构部分,
所述露出工序Y是切削所述第一树脂、所述金属层以及所述第二树脂层的一部分,使作为所述金属层与所述第一树脂的边界面的端部的边界线和作为所述金属层与所述第二树脂层的边界面的端部的第二树脂的边界线露出的工序。
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