[发明专利]微芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种微芯片，通过在形成了流路用槽的树脂基板的形成了所述流路用槽的面上接合树脂薄膜，形成了流路，微芯片的特征在于，

在所述流路的各位置上，所述流路宽度方向截面上的所述树脂薄膜的弯曲角度在0度以上30度未满。

2.如权利要求1中记载的微芯片，其特征在于，所述树脂薄膜的弯曲角度在0度以上10度未满。

3.如权利要求1或2中记载的微芯片，其特征在于，在所述流路的各位置上，所述流路宽度方向截面上的所述树脂薄膜的弯曲量，与所述流路的深度之比值，在0以上0.1未满。

4.如权利要求3中记载的微芯片，其特征在于，所述树脂薄膜的弯曲量，与所述流路用槽的深度之比值，在0以上0.05未满。

5.如权利要求1至4的任何一项中记载的微芯片，其特征在于，

进一步在所述树脂基板上形成与所述流路用槽连通的贯通孔，所述树脂薄膜被配置成覆盖所述贯通孔，

所述贯通孔最大径上长度方向截面中的所述树脂薄膜的弯曲量，与所述贯通孔的深度之比值，在0以上0.05未满。

6.如权利要求5中记载的微芯片，其特征在于，所述贯通孔最大径上长度方向截面中的所述树脂薄膜的弯曲量，与所述贯通孔的深度之比值，在0以上0.01未满。

7.一种微芯片的制造方法，其特征在于，备有下述步骤：

通过热溶接，在形成了流路用槽的树脂基板的形成了所述流路用槽的面上，接合树脂薄膜，由此形成流路；

以所定的温度条件对所述已接合的所述树脂基板和所述树脂薄膜热退火，由此使所述流路的各位置上所述流路宽度方向截面上的所述树脂薄膜的弯曲角度在0度以上30度未满。

8.如权利要求7中记载的微芯片的制造方法，其特征在于，

在所述树脂基板上形成了与所述流路用槽连通的贯通孔，所述树脂薄膜被接合成覆盖所述贯通孔，

通过所述热退火工序，使所述贯通孔最大径上长度方向截面中的所述树脂薄膜的弯曲量，与所述贯通孔的深度之比值，在0以上0.05未满。

9.如权利要求8中记载的微芯片的制造方法，其特征在于，在所述树脂基板的形成了所述流路用槽的面上接合树脂薄膜之步骤中，使先端部位于与所述贯通孔的孔缘略相同高度之位置地插入销子，由此支撑所述树脂薄膜。