[发明专利]有机光电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机光电子器件，所述有机光电子器件包括：

阳极，

在阳极上形成的有机电子材料层，

电子传输层，所述电子传输层包含具有约1.8eV至约3.0eV的最低未占分子轨道(LUMO)的低分子量电子传输材料和具有大于所述低分子量电子传输材料的LUMO的成膜聚合物的共混物，所述电子传输层形成于有机电子材料层上，和

在电子传输层上形成的阴极。

2.权利要求1的有机光电子器件，其中所述低分子量电子传输材料具有约2.0eV至约2.5eV的LUMO。

3.权利要求1的有机光电子器件，其中所述低分子量电子传输材料具有大于有机电子材料层的最高占据分子轨道(HOMO)。

4.权利要求1的有机光电子器件，其中所述有机光电子器件为有机光伏器件，所述有机电子材料层为光吸收层。

5.权利要求1的有机光电子器件，其中所述有机光电子器件为有机发光器件，所述有机电子材料层为发光层。

6.权利要求5的有机光电子器件，其中所述发光层由选自荧光发射有机材料、磷光发射有机材料及其混合物的物质制成。

7.权利要求6的有机光电子器件，其中所述低分子量电子传输材料包含至少一个选自吡啶基、喹啉基、喹喔啉基、三唑基、二唑基、唑基、嘧啶基和三嗪基的官能团。

8.权利要求7的有机光电子器件，其中所述低分子量电子传输材料包含至少一个吡啶基。

9.权利要求8的有机光电子器件，其中所述低分子量电子传输材料为：

10.权利要求5的有机光电子器件，其中所述成膜聚合物包含至少一个选自吡啶和叔胺的官能团。

11.权利要求10的有机光电子器件，其中所述成膜聚合物为聚(2-乙烯基吡啶)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚苯乙烯或聚(乙烯基苯基吡啶)。

12.权利要求5的有机光电子器件，其中所述电子传输层中低分子量电子传输材料的量为所述共混物的约10％重量至约95％重量。

13.权利要求12的有机光电子器件，其中所述电子传输层中低分子量电子传输材料的量为所述共混物的约50％重量至约90％重量。

14.权利要求5的有机光电子器件，所述有机光电子器件进一步在阳极和发光层之间包括空穴注入层。

15.权利要求5的有机光电子器件，所述有机光电子器件进一步在阳极和发光层之间包括空穴传输层。

16.权利要求5的有机光电子器件，所述有机光电子器件进一步包括介于阴极和电子传输层之间的电子注入层。

17.一种制造有机光电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供基片；

在基片上形成阳极；

在阳极上形成有机电子材料层；

通过基于溶液的方法在有机电子材料层上形成电子传输层；和

在电子传输层上形成阴极层，

其中所述电子传输层包含具有约1.8eV至约3.0eV的最低未占分子轨道(LUMO)的低分子量电子传输材料和具有大于所述低分子量电子传输材料的LUMO的成膜聚合物的共混物。

18.权利要求17的方法，其中所述基于溶液的方法选自旋涂、浸涂、喷涂、喷墨印刷、凹版涂覆、柔版涂覆、丝网印刷和流延。

19.权利要求17的方法，其中所述电子传输层中低分子量电子传输材料的量为所述共混物的约10％重量至约95％重量。

20.权利要求17的方法，其中所述电子传输层中低分子量电子传输材料的量为所述共混物的约50％重量至约90％重量。

21.权利要求17的方法，其中所述低分子量电子传输材料具有约2.0eV至约2.5eV的LUMO。