[发明专利]向用于室清洁的远程等离子体快速供应氟源气体

权利要求书

1.一种进行室清洁的方法，该方法包括：

将氩气引入远程等离子体系统，该系统与要清洁的室连通，以在远程等离子体系统中引发和产生等离子体；

产生等离子体后，就立刻切断至远程等离子体系统的氩气流；

将F₂气引入远程等离子体系统，以形成氟原子团；和

使用该氟原子团清洁室。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氩气在0.5-10乇压力下引入。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，F₂气以该远程等离子体系统的最大流速能力的15-100％的流速引入。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，F₂气以该远程等离子体系统的最大流速能力的80-100％的流速引入。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，F₂气以该远程等离子体系统的最大流速能力的100％的流速引入。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，F₂气在0.5-100乇压力下引入。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，F₂气在0.5-3乇压力下引入。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在清洁周期开始时F₂气在1-100乇压力下引入，并逐步降低至在该清洁周期结束时压力为0.1-1乇。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在清洁周期开始时F₂气在1-50乇压力下引入，并逐步降低至在该周期结束时压力为0.1-1乇。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述室是半导体加工室。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，半导体加工室是用于制造平板或太阳能PV板的加工室。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从室清除的沉积物是Si，W，Ti，SiN或SiO₂中的至少一种。

13.一种使用F₂气对半导体加工室进行清洁的方法，其中清洁周期在少于1分钟内完成。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，清洁周期需要小于或等于50秒时间。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，使用加工室用于制造平板或太阳能PV板。

16.一种对半导体加工室进行清洁的方法，其中，在清洁周期开始时将用于产生清洁周期所用的氟原子团的源气体引入与加工室连通的远程等离子体系统，源气体流速为远程等离子体系统的最大流速能力的100％。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，源气体是F₂气。

18.一种用于进行室清洁的装置，该装置包括：

与要清洁的室连通的远程等离子体系统；

与远程等离子体连通的氩气源；和

与远程等离子体连通的F₂气源。

19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述室是半导体加工室。

20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述室用于制造平板或太阳能PV板。