[发明专利]用于处理基板的设备和方法

权利要求书

1.一种基板处理设备，该基板处理设备包括：

腔，其限定了生成活性基的生成空间和对基板实施处理的处理空间；

第一供应件，其被设置为向该生成空间内供应第一源气体；

上部等离子体源，其被设置为在该生成空间中产生电场以从第一源气体生成活性基；

第二供应件，其被设置为向该处理空间内供应第二源气体；以及

下部等离子体源，其被设置为在该处理空间中产生电场。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

第一电源，其与所述上部等离子体源相连，以向所述上部等离子体源供应第一电流；以及

第二电源，其与所述下部等离子体源相连，以向所述下部等离子体源供应第二电流。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中

所述上部等离子体源包括被设置为包裹所述腔的侧面的第一段和第二段，并且

该第一段和第二段在所述腔的垂直方向上交替地布置。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

安装在所述腔中的支撑件，其中

第二供应件包括喷射板，该喷射板大体上与放置在支撑板上的基板平行地布置，使得所述腔的内部空间被该喷射板分割成所述生成空间和所述处理空间。

5.根据权利要求4所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

第二供应管线，其连接到所述喷射板以向所述喷射板供应第二源气体，其中

所述喷射板具有第一喷射孔和第二喷射孔，其中，第一喷射孔在所述生成空间和所述处理空间之间连通以将供应到所述产生空间内的第一源气体喷射到所述处理空间内，而第二喷射孔连接到第二供应管线以将第二源气体喷射到所述处理空间内。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

安装在所述腔中的支撑件，其中

第一供应件包括扩散板，该扩散板按照大体上与放置在该支撑件上的基板平行布置的方式安装在所述腔的与所述生成空间相对的天花板上，并且

在该扩散板与所述腔的天花板之间限定了缓冲空间，以允许向其中供应第一源气体。

7.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，该基板处理设备还包括：

安装在所述腔中的支撑件，其中

第二供应件包括：

第一喷射板，其大体上与放置在该支撑件上的基板平行布置；

第二喷射板，其按照与第一喷射板隔开的方式布置在第一喷射板下方；以及

连接管线，其被设置为将第一喷射板上方的空间和第二喷射板下方的空间互连，并且

所述生成空间被限定在第一喷射板上方，而所述处理空间被限定在第二喷射板下方。

8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其中，第二供应件具有供应喷嘴，该供应喷嘴按照使该供应喷嘴的下端对应于放置在所述支撑件上的基板的中心的方式布置在第一喷射板与第二喷射板之间，以向下供应第二源气体。

9.一种基板处理方法，该基板处理方法包括以下步骤：

向限定在腔中的生成空间供应第一源气体；

在该生成空间内产生电场以从第一源气体生成活性基，并将生成的活性基供应到限定在该腔中的处理空间内；

向该处理空间供应第二源气体；以及

在该处理空间内产生电场。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，在所述生成空间和所述处理空间内产生的电场彼此不同。