[发明专利]Sr-Ti-O系膜的成膜方法和存储介质无效
| 申请号： | 200980105714.6 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102089871A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 河野有美子;有马进;柿本明修;广田俊幸;清村贵利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/40;H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sr ti 方法 存储 介质 | ||
1.一种Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于，包括：
在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，向所述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序；
对所述第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序；
在形成所述第一Sr-Ti-O系膜之后，向所述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在其上形成第二Sr-Ti-O系膜的工序；和
对所述第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序。
2.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于，还包括：
在对所述第二Sr-Ti-O系膜进行退火之后，形成实质上未结晶化的第三Sr-Ti-O系膜的工序。
3.如权利要求2所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
所述第三Sr-Ti-O系膜以膜中的Sr与Ti的比例Sr/Ti按照原子数比计小于1的状态成膜。
4.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于，还包括：
在对所述第二Sr-Ti-O系膜进行退火之后，形成实质上未结晶化的氧化膜的工序。
5.如权利要求4所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
所述氧化膜是TiO2膜、Al2O3膜、L2O3膜的任一种。
6.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
对所述第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序和对所述第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序在非氧化性氛围下以500～750℃的温度范围进行。
7.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
在对所述第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化之后，在氧化性氛围下进行用于向膜中导入氧的熟化处理。
8.如权利要求7所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
所述熟化处理以350～500℃的温度范围进行。
9.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
在形成所述第一Sr-Ti-O系膜和/或所述第二Sr-Ti-O系膜时，进行多次下述SrO膜成膜步骤和TiO膜成膜步骤，
所述SrO膜成膜步骤包括：向所述处理容器内导入气态的Sr原料使Sr吸附在基板上的步骤、向所述处理容器内导入气态的氧化剂使Sr氧化的步骤、和在这些步骤后对处理容器内进行清扫的步骤，
所述TiO膜成膜步骤包括：向所述处理容器内导入气态的Ti原料使Ti吸附在基板上的步骤、向所述处理容器内导入气态的氧化剂使Ti膜氧化的步骤、和在这些步骤后对处理容器内进行清扫的步骤。
10.如权利要求9所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
以包括所述SrO膜成膜步骤彼此和/或所述TiO膜成膜步骤彼此多次连续进行的顺序的方式，进行多次所述SrO膜成膜步骤和所述TiO膜成膜步骤。
11.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
所述Sr原料是环戊二烯化合物。
12.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
所述Ti原料是醇盐。
13.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
所述氧化剂是O3或者O2。
14.如权利要求1所述的Sr-Ti-O系膜的成膜方法，其特征在于：
所述第一Sr-Ti-O系膜的形成和所述第二Sr-Ti-O系膜的形成，以形成的膜的膜中的Sr与Ti的比例Sr/Ti按照原子数比计为0.9～1.4的条件进行。
15.一种存储介质，其在计算机上运行，存储有用于控制成膜装置的程序，其特征在于：
所述控制程序在执行时，由计算机控制所述成膜装置，使其进行Sr-Ti-O系膜的成膜方法，
该成膜方法包括：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，向所述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序；
对所述第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序；
在形成所述第一Sr-Ti-O系膜之后，向所述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在其上形成第二Sr-Ti-O系膜的工序；和
对所述第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;尔必达存储器株式会社，未经东京毅力科创株式会社;尔必达存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980105714.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
