[发明专利]SOI基板的表面处理方法

权利要求书

1.一种SOI基板的表面处理方法，其特征在于，所述处理方法为SOI基板的表面处理方法，其至少包括：

通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对上述SOI基板的表面进行处理的工序；以及

在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的SOI基板进行热处理退火的工序。

2.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述退火工序中，于900℃以上、1250℃以下的温度实施上述热处理。

3.如权利要求1或2所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述退火工序中，上述非活性气体为氮气、氩气、氦气中的任一种。

4.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述退火工序中，上述基板的表面粗糙度按照RMS计在0.3nm(10μm×10μm范围)以下。

5.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述SOI基板的支撑晶片为硅晶片、带有氧化膜的硅晶片、石英、玻璃、蓝宝石、SiC、氧化铝、氮化铝中的任一种。

6.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述进行表面处理的SOI基板通过下述工序制备：

将形成离子注入层的硅晶片作为施主晶片，之后对上述施主晶片和支撑晶片的至少一方的贴合面进行等离子活化处理后贴合，然后，进行350℃以下的热处理以增加贴合强度；

之后通过对上述离子注入层施予机械性冲击，在上述离子注入层进行剥离。

7.一种贴合晶片的制造方法，其包括下述工序：

在支撑晶片的表面形成半导体薄膜层的工序；

通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对上述半导体薄膜层的表面进行处理的工序；以及

在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中进行热处理退火的工序。

8.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述退火工序中，于900℃以上、1250℃以下的温度实施上述热处理。

9.如权利要求7或8所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述退火工序中，上述非活性气体为氮气、氩气、氦气中的任一种。

10.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述退火工序中，上述半导体薄膜层的表面粗糙度按照RMS计在0.3nm(10μm×10μm范围)以下。

11.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述支撑晶片为硅晶片、带有氧化膜的硅晶片、石英、玻璃、蓝宝石、SiC、氧化铝、氮化铝中的任一种。

12.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述进行表面处理的半导体薄膜层通过下述工序制备：

将形成离子注入层的硅晶片作为施主晶片，之后对上述施主晶片和支撑晶片的至少一方的贴合面进行等离子活化处理后贴合，然后，进行350℃以下的热处理以增加贴合强度；

之后通过对上述离子注入层施予机械性冲击，在上述离子注入层进行剥离。