[发明专利]电极的表面处理方法和电极、以及有机电致发光元件的制造方法无效
| 申请号: | 200980105056.0 | 申请日: | 2009-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101953231A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
| 发明(设计)人: | 名取伸浩;近藤邦夫;迫勘治朗 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号: | H05B33/26 | 分类号: | H05B33/26;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电极 表面 处理 方法 以及 有机 电致发光 元件 制造 | ||
1.一种电极的表面处理方法,其特征在于,包括使由金属氧化物或金属制成的电极与具有Si-O键的化合物的碱性溶液接触的接触工序。
2.根据权利要求1所述的电极的表面处理方法,其特征在于,所述具有Si-O键的化合物是硅酸盐。
3.根据权利要求2所述的电极的表面处理方法,其特征在于,所述硅酸盐是选自硅酸钠、硅酸钾、硅酸铷和硅酸锂中的至少1种。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,所述碱性溶液包含以Si原子换算为0.001~15质量%的所述具有Si-O键的化合物。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,所述碱性溶液包含碱金属离子,该碱性溶液中的该碱金属离子的摩尔浓度是所述具有Si-O键的化合物的Si原子换算摩尔浓度的0.1~10倍。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,通过使所述电极浸渍在所述碱性溶液中来进行所述接触工序。
7.根据权利要求1~5的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,通过向所述电极喷射所述碱性溶液来进行所述接触工序。
8.根据权利要求1~5的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,通过将所述碱性溶液涂布在所述电极表面上来进行所述接触工序。
9.根据权利要求8所述的电极的表面处理方法,其特征在于,所述涂布方法是在所述电极表面上形成所述碱性溶液的积液部,并使所述电极在其表面的面内方向上旋转,从而使所述积液部扩大至覆盖整个所述电极表面的方法。
10.根据权利要求9所述的电极的表面处理方法,其特征在于,所述涂布方法是旋转涂布法或流延法。
11.根据权利要求8所述的电极的表面处理方法,其特征在于,所述涂布方法是微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、环棒式涂布法、浸渍涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法或喷墨印刷法。
12.根据权利要求1~11的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,在所述接触工序之后,还包括用水洗涤电极的洗涤工序。
13.根据权利要求12所述的电极的表面处理方法,其特征在于,通过选自毛刷洗涤法、二流体洗涤法、超声波洗涤法、高压喷射洗涤法和旋转洗涤法中的至少1种方法来进行所述洗涤工序。
14.根据权利要求1~13的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,在所述接触工序后的任意阶段,还包括将电极加热至60~250℃的加热工序,其中,在包括所述洗涤工序的情况下,所述任意阶段是在所述洗涤工序后的任意阶段。
15.根据权利要求1~14的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,在所述接触工序后的任意阶段,还包括对电极照射紫外线的UV照射工序,其中,在包括所述洗涤工序的情况下,所述任意阶段是在所述洗涤工序后的任意阶段。
16.一种采用权利要求1~15的任一项所述的方法进行了表面处理的、由金属氧化物或金属制成的电极。
17.一种由氧化铟锡制成的电极,其特征在于,采用权利要求1~15的任一项所述的方法进行了表面处理,在大气中通过紫外光电子能谱法测定得到的功函数为-5.2~-6.0eV。
18.一种有机电致发光元件的制造方法,是依次叠层有阳极、发光层和阴极的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,在采用权利要求1~15的任一项所述的方法进行了表面处理的、由金属氧化物或金属制成的阳极上形成该发光层和该阴极。
19.一种有机电致发光元件,在采用权利要求1~15的任一项所述的方法进行了表面处理的、由金属氧化物或金属制成的阳极上依次叠层有发光层和阴极。
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