[发明专利]半导体基板表面制备方法

权利要求书

1.一种用于制备半导体基板的表面的方法，该方法包括以下步骤：

a)对所述半导体基板(1)的所述表面进行氧化，由此将自然氧化物(5)转变为人工氧化物(7)，

b)去除所述人工氧化物(7)，特别是利用包括还原气体等离子体和惰性气体等离子体的还原性等离子体，来获得无氧化物基板表面(11)，以及

c)将所述半导体基板(21)以其无氧化物基板表面(25)侧附接到第二半导体基板(23)上，特别是通过键合来进行附接。

2.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，其中，所述半导体基板(1)是(110)硅或(100)硅基板或者具有SiGe缓冲层和/或具有SiGe弛豫层或应变硅层的硅基板。

3.根据权利要求6所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述人工氧化物(7)是化学计量的SiO₂。

4.根据权利要求9所述的方法，其中，第二半导体基板(23)同样按照步骤a)和步骤b)进行了处理。