[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：

腔室，其提供内部空间，在该内部空间处在对象上执行处理；以及

等离子体生成单元，其在所述内部空间中产生电场，以由提供到所述内部空间的源气体生成等离子体，

所述等离子体生成单元包括：

上部源，其与所述腔室的上表面大致平行地设置；

上发生器，其连接到所述上部源，以向所述上部源提供第一电流；

侧源，其围绕所述腔室的侧面；以及

侧发生器，其连接到所述侧源，以向所述侧源提供第二电流。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体生成单元还包括：

上匹配器，其设置在所述上发生器和所述上部源之间；以及

下匹配器，其设置在所述侧发生器和所述侧源之间。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述上部源包括第一上部源、形状与所述第一上部源大致相同并且与所述第一上部源具有预定相位差的第二上部源、以及形状与所述第一上部源和所述第二上部源大致相同并且与所述第二上部源具有预定相位差的第三上部源。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述腔室包括：

处理腔室，在所述处理腔室处通过所述等离子体进行处理，所述处理腔室设置有支撑组件，在所述支撑组件上放置所述对象；以及

生成腔室，其位于所述处理腔室上方，以使得通过所述等离子体生成单元生成所述等离子体，

其中，所述上部源与所述生成腔室的上表面大致平行地设置，并且所述侧源设置在所述生成腔室的侧面处。

5.一种等离子体处理方法，其中，该等离子体处理方法利用与腔室的上表面大致平行地设置的上部源和围绕所述腔室的侧面设置的侧源，所述等离子体处理方法包括以下步骤：

通过经由所述上部源向所述上部源提供第一电流以及经由所述侧源向所述侧源提供第二电流，来在所述腔室的内部空间中生成等离子体；以及

利用所生成的等离子体对设置在所述腔室内部的对象进行处理。