[发明专利]以干微影或浸润式微影工艺来防止45-纳米特征结构尺寸中光阻材料的崩塌和毒化

权利要求书

1.一种处理一基板的方法，包含：

沉积一抗反射涂层到该基板的一表面上；

沉积一有机促黏层到该抗反射涂层上；及

沉积一光阻材料到该有机促黏层上。

2.如权利要求1所述的方法，其中该抗反射涂层包含一介电性抗反射材料，其是选自由富含硅的氧化物、氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氧碳化硅、掺杂有氮的碳化硅、掺杂有氮的氧碳化硅及其组合所组成的群组中。

3.如权利要求1所述的方法，其中该有机促黏层包含一种非晶型碳材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中该基板表面更包含一非晶型碳层且该抗反射涂层是沉积在该非晶型碳层上。

5.如权利要求1所述的方法，更包含在沉积该有机促黏层之前，先沉积一层氧化物帽盖层到该抗反射涂层上。

6.如权利要求1所述的方法，其中该有机促黏层是以等离子增强化学气相沉积法沉积一种碳氢化物前体而沉积的。

7.如权利要求1所述的方法，更包含在沉积该光阻材料前，先将该有机促黏层暴露到六甲基二硅氮烷下。

8.如权利要求1所述的方法，其中该有机促黏层具有一碳-碳单键、一碳-碳双键、或其组合。

9.如权利要求1所述的方法，其中该抗反射涂层与该有机促黏层是原位沉积在相同的处理腔室或处理系统内。

10.如权利要求1所述的方法，更包含在在沉积该光阻材料前，先将该有机促黏层暴露到六甲基二硅氮烷下。

11.一种半导体基板结构，包含：

一介电性基板；

一非晶型碳层，其沉积在该介电性层上；

一抗反射涂层，其沉积在该非晶型碳层上：

一有机促黏层，其沉积在该抗反射涂层上；及

一光阻材料，其沉积在该有机促黏层上。

12.如权利要求11所述的半导体基板结构，更包含一种六甲基二硅氮烷材料，形成在该有机促黏层与该光阻材料之间。

13.如权利要求11所述的半导体基板结构，其中该有机促黏层包含一种非晶型碳材料。

14.如权利要求11所述的半导体基板结构，更包含一层配置在该抗反射性涂层与该有机促黏层之间的氧化物帽盖层。

15.如权利要求11所述的半导体基板结构，其中该有机促黏层具有一碳-碳单键、一碳-碳双键、或其组合。