[发明专利]用于改变等离子体处理系统中的面积比的方法和装置

权利要求书

1.一种具有用于处理衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统，所述等离子体处理室包含

上电极，所述上电极具有第一上电极部分和第二上电极部分，所述第一上电极部分环形围绕所述第二上电极部分，所述第一上电极部分和所述第二上电极部分两者在所述处理过程中均接地；

下电极，所述下电极具有第一下电极部分和第二下电极部分，所述第一下电极部分接地并环形围绕所述第二下电极部分，所述第二下电极部分具有被配置为在所述处理过程中支撑所述衬底的衬底承载面，其中所述上电极和所述下电极中的至少一个是能够在垂直于所述衬底承载面的方向上移动的；

用于向所述第二下电极部分提供射频能量的射频电源，其中所述第一下电极部分的上表面是相对于所述衬底承载面不共面的以致于所述第一下电极部分的所述上表面和所述第一上电极部分的下表面之间的第一间隙小于所述衬底承载面和所述第二上电极部分的面对衬底的表面之间的第二间隙。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中只有所述上电极是可移动的。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中只有所述下电极是可移动的。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述上电极和所述下电极两者均是可移动的。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述第一上电极部分的所述下表面相对于所述第二上电极部分的所述面对衬底的表面是共面的。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述第一上电极部分的所述下表面相对于所述第二上电极部分的所述面对衬底的表面是不共面的。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述等离子体处理室被配置为能够在至少两种状况过程中操作的，所述两种状况的第一状况涉及将所述上电极和所述下电极置为等离子体被维持在所述第二下电极部分的所述衬底承载面和所述第二上电极部分的所述面对衬底的表面之间，在所述第一状况中所述等离子体还被维持在所述第一下电极部分的所述上表面和所述第一上电极部分的所述下表面之间，所述两种状况的第二状况涉及将所述上电极和所述下电极置为所述等离子体被维持在所述第二下电极部分的所述衬底承载面和所述第二上电极部分的面对衬底的表面之间，然而在所述第二状况中所述等离子体不被维持在所述第一下电极部分的所述上表面和所述第一上电极部分的所述下表面之间。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中在所述第二状况中射频耦合的面积比是约1∶1。

9.一种具有用于处理衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统，所述等离子体处理室包含

上电极，所述上电极具有第一上电极部分和第二上电极部分，所述第一上电极部分环形围绕所述第二上电极部分，所述第一上电极部分和所述第二上电极部分两者在所述处理过程中均接地；

下电极，所述下电极具有第一下电极部分和第二下电极部分，所述第一下电极部分接地并环形围绕所述第二下电极部分，所述第二下电极部分具有被配置为在所述处理过程中支撑所述衬底的衬底承载面，其中所述上电极和所述下电极中的至少一个是能够在垂直于所述衬底承载面的方向上移动的；

用于向所述第二下电极部分提供射频能量的射频电源，其中所述第一下电极部分的上表面是与所述衬底承载面不共面的以致于所述第一上电极部分的所述下表面和所述第一下电极部分的上表面之间的第一间隙小于所述衬底承载面和所述第二上电极部分的所述面对衬底的表面之间的第二间隙。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理系统，其中只有所述上电极是可移动的。

11.根据权利要求9所述的等离子体处理系统，其中只有所述下电极是可移动的。

12.根据权利要求9所述的等离子体处理系统，其中所述上电极和所述下电极两者均是可移动的。

13.根据权利要求9所述的等离子体处理系统，其中所述第一下电极部分的所述上表面相对于所述第二下电极部分的所述衬底承载面是共面的。

14.根据权利要求9所述的等离子体处理系统，其中所述第一下电极部分的所述上表面相对于所述第二下电极部分的所述衬底承载面是不共面的。