[发明专利]半导体发光装置、背光源、彩色图像显示装置以及这些中使用的荧光体

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其是由发出蓝色或深蓝色区域或者紫外区域的光的固体发光元件和荧光体组合而成的半导体发光装置，其特征在于，

所述荧光体包括绿色荧光体和红色荧光体，所述绿色荧光体在515～550nm的波长区域具有1个以上发光峰，所述红色荧光体在610～650nm的波长区域具有1个以上半峰宽为10nm以下的发光峰，且在所述绿色荧光体的发射光波长区域实质上不具有激发光谱，所述红色荧光体含有Mn⁴⁺作为活化元素，

激发光的波长为400nm或455nm的情况下，所述绿色荧光体和所述红色荧光体在100℃的发光峰强度相对于在25℃的发光峰强度的变化率为40％以下。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述绿色荧光体包含选自由铝酸盐荧光体、赛隆荧光体和氮氧化合物荧光体组成的组中的一种以上的化合物。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，激发光的波长为455nm的情况下，所述红色荧光体在100℃的发光峰强度相对于在25℃的发光峰强度的变化率为18％以下。

4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体在610～650nm的波长区域具有半峰宽为10nm以下的主发光峰。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体为氟络合物荧光体，并且所述固体发光元件在具有导电性的基板上形成。

6.如权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体是于200℃每1g荧光体的加热产氟量为0.01μg/分钟以上的荧光体。

7.如权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体于20℃相对于100g水的溶解度为0.005g～7g。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体为氟络合物荧光体，并且该半导体发光装置具有含有该红色荧光体的层，所述半导体发光装置具有下述(a)～(c)之中至少一种构成：

(a)在固体发光元件与含有该红色荧光体的层之间具有不含所述红色荧光体的材料层；

(b)发光装置的部分表面或全部表面由不含所述红色荧光体的材料层被覆；

(c)含有该红色荧光体的层由不含所述红色荧光体的材料层被覆。

9.如权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体是于200℃每1g荧光体的加热产氟量为0.01μg/分钟以上的荧光体。

10.如权利要求9所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体于20℃相对于100g水的溶解度为0.005g～7g。