[发明专利]耐水性有机薄膜的制造方法无效
| 申请号: | 200980103719.5 | 申请日: | 2009-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN101932449A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
| 发明(设计)人: | 小松原诚;增田友昭 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | B32B37/00 | 分类号: | B32B37/00;C08J7/00;G02B5/30 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 大*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 耐水性 有机 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,其为将层叠于长条薄膜状基材的一个面上的有机薄膜浸渍于反应槽内的耐水化处理液中进行耐水化处理的耐水性有机薄膜的制造方法,
支撑所述基材的不具有有机薄膜的一面,并连续进行包括下述步骤的所述有机薄膜的耐水性处理:
将层叠有所述有机薄膜的基材从设置于所述耐水化处理液的液面下方的所述反应槽的壁面的输入开口部输入到所述耐水化处理液内的步骤;
使层叠有所述有机薄膜的基材在所述耐水化处理液内通过的同时进行所述耐水化处理的步骤;以及,
将层叠有所述有机薄膜的基材从设置于所述耐水化处理液的液面下方的所述反应槽的壁面的输出开口部输出的步骤。
2.根据权利要求1所述的耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,所述输入开口部和输出开口部的周围不接触所述有机薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,向所述反应槽供给相当于由于从所述输入开口部和输出开口部流出而减少部分的量的所述耐水化处理液,使得所述耐水化处理液的液面一直保持在所述有机薄膜的上方。
4.根据权利要求3所述的耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,将从所述输入开口部和输出开口部流出的所述耐水化处理液接收到设置于所述反应槽下方的溜槽中,并从所述溜槽返回所述反应槽。
5.根据权利要求1或2所述的耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,支撑所述基材的不具有有机薄膜的一面的部件为支撑辊。
6.根据权利要求1或2所述的耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,所述耐水化处理前的有机薄膜是含有具有-SO3M基或者-COOM基的化合物的有机薄膜,其中,M为一价阳离子;所述耐水化处理液为含有二价或三价阳离子的液体。
7.根据权利要求6所述的耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,所述耐水化处理前的有机薄膜含有下述通式(1)所示的化合物,
通式(1)中,Q表示可以有取代基的芳基;R表示氢原子、碳数1~3的烷基、乙酰基、苯甲酰基、或者可以有取代基的苯基;M表示提供一价阳离子的元素。
8.根据权利要求7所述的耐水性有机薄膜的制造方法,其特征在于,所述耐水化处理前的有机薄膜含有下述通式(2)所示的化合物,
通式(2)中,R表示氢原子、碳数1~3的烷基、乙酰基、苯甲酰基、或者可以有取代基的苯基;M表示提供一价阳离子的元素;X表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、碳数1~4的烷基、碳数1~4的烷氧基、或-SO3M基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980103719.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





