[发明专利]非晶碳氢膜的后处理方法以及使用了该方法的电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

在衬底上形成非晶碳氢膜；

一边在期望的定时提供SixHy类气体，一边将所述形成的非晶碳氢膜在Si_xH_y类气体气氛中进行加热处理。

2.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

所述Si_xH_y类气体气氛中的加热处理使Si_xH_y类气体的蒸汽接触所述非晶碳氢膜的表面。

3.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

所述Si_xH_y类气体包括单甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷中的任意种。

4.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

所述Si_xH_y类气体气氛中的加热处理在200℃～400℃的温度下进行。

5.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

紧接在对所述非晶碳氢膜进行非所述Si_xH_y类气体气氛中的加热处理之后，进行所述Si_xH_y类气体气氛中的加热处理。

6.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

所述Si_xH_y类气体气氛中的加热处理在大气压～1Torr的压力下进行。

7.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

所述Si_xH_y类气体气氛中的加热处理进行10分钟～30分钟。

8.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

所述非晶碳氢膜的厚度小于或等于10nm。

9.如权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法，其中，

所述非所述Si_xH_y类气体气氛中的加热处理是退火处理。

10.一种电子器件的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成非晶碳氢膜；以及

一边在期望的定时提供Si_xH_y类气体，一边将所述形成的非晶碳氢膜在Si_xH_y类气体气氛中进行加热处理。

11.如权利要求10所述的电子器件的制造方法，其中，

在于所述Si_xH_y类气体气氛中进行加热处理的步骤之后，包括在所述非晶碳氢膜上形成预定的膜的步骤。

12.如权利要求10所述的电子器件的制造方法，其中，

在所述Si_xH_y类气体气氛中进行加热处理的步骤中，使Si_xH_y类气体的蒸汽接触所述非晶碳氢膜的表面。

13.如权利要求10所述的电子器件的制造方法，其中，

在所述Si_xH_y类气体气氛中进行加热处理的步骤在200℃～400℃的温度下进行。

14.如权利要求10所述的电子器件的制造方法，其中，

非晶碳氢膜是层间绝缘膜。

15.一种存储有用于使计算机实现权利要求1所述的非晶碳氢膜的后处理方法的控制程序的计算机可读存储介质。

16.一种存储有用于使计算机实现权利要求10所述的电子器件的制造方法的控制程序的计算机可读存储介质。

17.一种制造电子器件的处理系统，其包括非晶碳氢膜的成膜处理装置以及加热处理装置，

所述处理系统使用所述成膜处理装置在衬底上形成非晶碳氢膜，并且

一边在期望的定时提供Si_xH_y类气体，一边使用所述加热处理装置将所述非晶碳氢膜在Si_xH_y类气体气氛中进行加热处理。