[发明专利]多晶MgO烧结体及其制造方法以及溅射用MgO靶材

权利要求书

1.一种多晶MgO烧结体，其经由单向加压烧结MgO原料粉末的工序而得到，其中，多晶MgO烧结体中的MgO的X射线衍射得到的强度比与式(1)表示的(111)面的比率α(111)的值相关，在将施加有单向压力的面的值设为αV(111)、将与施加有单向压力的面垂直的面的值设为αH(111)时，αV(111)/αH(111)＞1.5，

α(111)＝{-0.4434(Ra)2+1.4434*Ra}...(1)

在此，Ra＝I(111)/(I(111)+I(200))

I(111)：MgO的(111)面的X射线衍射强度

I(200)：MgO的(200)面的X射线衍射强度。

2.权利要求1所述的多晶MgO烧结体，其中，平均结晶粒径为30μm以下。

3.权利要求1或2所述的多晶MgO烧结体，其中，MgO的纯度为99.99％以上。

4.一种溅射用MgO靶材，其由权利要求1～3中任一项所述的多晶MgO烧结体形成。

5.权利要求1所述的多晶MgO烧结体的制造方法，其中，包括：单向加压烧结粒径为1μm以下的MgO原料粉末的工序；在该单向加压烧结工序之后，在存在0.05体积％以上氧的气氛下，以1273K以上的温度热处理1分钟以上的工序。

6.权利要求5所述的多晶MgO烧结体的制造方法，其中，MgO原料粉末含有0.01～0.2质量％的Mg(OH)₂。

7.权利要求5或6所述的多晶MgO烧结体的制造方法，其中，MgO原料粉末的杂质浓度小于0.01质量％。

8.权利要求5～7中任一项所述的多晶MgO烧结体的制造方法，其中，在单向加压烧结工序中施加的压力为5MPa以上。