[发明专利]具有温度补偿的发光单元

权利要求书

1.一种发光单元，包括：

由半导体形成的封装衬底(10)；

在衬底中形成的沟道(12)

处于沟道中的分立的发光二极管装置(34)，以及

光传感器，

其中，沟道的表面区域包括掺杂的半导体层(20、24)，所述半导体层限定光传感器。

2.根据权利要求1所述的发光单元，其中，沟道的表面区域包括以第一极性掺杂的第一掩埋层(20)，和较靠近表面并以相反的第二极性掺杂的第二掩埋层(24)。

3.根据任一前述权利要求所述的发光单元，其中，光传感器包括PIN二极管。

4.根据权利要求3所述的发光单元，其中，沟道的表面区域包括第一n掺杂的掩埋层(20)、较靠近表面的本征层(22)、以及较靠近表面的第二p掺杂层(24)。

5.根据权利要求4所述的发光单元，其中，沟道的表面区域进一步包括处于沟道表面的顶部氧化物层(26)。

6.根据任一前述权利要求所述的发光单元，其中，沟道包括基底(28)和一个或多个侧壁(30)，并且，沟道(12)的基底和一个或多个侧壁各自限定光传感器结构的一部分。

7.根据任一前述权利要求所述的发光单元，其中，在分立的发光二极管装置(34)和沟道(12)的表面之间提供金属接触(32)。

8.一种制造发光单元的方法，包括：

在半导体封装衬底(10)中限定沟道(12)；

对沟道的表面区域进行处理，以限定形成光传感器的掺杂半导体层(20，24)；以及

在沟道中安装分立的发光二极管装置(34)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，限定沟道的方法包括应用浅沟槽隔离法。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，沟道的表面区域被处理，以限定以第一极性掺杂的第一掩埋层(20)，以及较靠近表面并以相反的第二极性掺杂的第二层(24)。

11.根据任一前述权利要求所述的发光单元，其中，光传感器包括PIN二极管。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，其中，沟道的表面区域被处理，以限定第一n掺杂的掩埋层(20)、较靠近表面的本征层(22)、以及较靠近表面的第二p掺杂层(24)，从而限定PIN二极管光传感器。

13.根据权利要求12中的方法，进一步包括：在沟道表面限定顶部氧化物层(26)。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的方法，其中，处理沟道的表面区域包括处理基底(28)和一个或多个侧壁(30)，使得基底和一个或多个侧壁各自限定光传感器结构的一部分。

15.根据权利要求8至14中任一项所述的方法，进一步包括：在分立的发光二极管装置(34)和沟道表面之间提供金属接触(32)。