[发明专利]覆膜电子器件的制造方法和制造设备有效

专利信息
申请号: 200980102955.5 申请日: 2009-01-30
公开(公告)号: CN101926027A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 志村健一;本桥裕太;高山元;渡边正司 申请(专利权)人: NEC能源元器件株式会社;日产自动车株式会社
主分类号: H01M2/36 分类号: H01M2/36;H01G9/00;H01M2/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙纪泉
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 制造 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种覆膜电子器件的制造方法,包括以下步骤:

在真空容器中通过在与发电元件的两个主表面相对应的位置处挤压袋状层压膜来保持所述袋状层压膜,所述袋状层压膜容纳所述发电元件并且具有开口,所述发电元件具有经由分离器堆叠的正极层和负极层;

减小所述真空容器中的压力;

在保持所述真空容器中的压力减小的情况下,电解溶液通过所述开口被灌注到所述袋状层压膜中,直到所述电解溶液的水平面变得比所述发电元件的顶端高;以及

增加所述真空容器中被减小的压力。

2.根据权利要求1所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,在保持期间,所述发电元件的整个主表面被保持,且所述发电元件的边缘表面没有被保持。

3.根据权利要求1或2所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,在灌注期间,所述电解溶液经由中继容器被灌注到袋状层压膜中。

4.根据权利要求3所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,在灌注期间,在多片袋状层压膜容纳所述发电元件的情况下,所述电解溶液经由中继容器顺次或同时被灌注到所述多片袋状层压膜中,其中,将所述多片袋状层压膜放进所述真空容器中,然后在与所述发电元件的两个主表面相对应的位置处保持所述多片袋状层压膜。

5.根据权利要求3或4所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,所述中继容器采用大气压力与所述真空容器中被减小的压力之间的压差将所述电解溶液从所述中继容器灌注到所述袋状层压膜中。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,所述电解溶液通过电解溶液供应装置被供应,所述电解溶液供应装置以能够移动的方式被安装。

7.根据权利要求6所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,所述电解溶液供应装置包括蓄积所述电解溶液的蓄积池和排放从所述蓄积池供应的所述电解溶液的多个注射针;以及

所述电解溶液供应装置通过选自所述多个注射针中的作为从所述蓄积池供应的所述电解溶液的目的地的一个注射针供应所述电解溶液。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,从所述电解溶液的灌注开始之前的时间直到所述电解溶液的灌注完成的时间,保持所述开口处于打开状态。

9.根据权利要求8所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,通过在所述开口抽吸而保持所述打开状态。

10.根据权利要求8所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,通过将插入所述开口中的一对卡爪沿彼此离开的方向移动来保持所述打开状态。

11.根据权利要求10所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,在所述开口处的将要被热熔化的部分被所述一对卡爪覆盖的情况下保持所述打开状态。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,还包括以下步骤:

移除附至所述开口的任何电解溶液。

13.根据权利要求1至12任一项所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,在由下述不等式给出的条件下灌注所述电解溶液:

0<2VW+VL<VTOTAL

0<VW、0<VL

其中,L和W为所述发电元件的长度和宽度;VL为形成在所述层压膜与所述发电元件边缘表面中的与位于所述开口处的边缘表面相对的位于底部处的边缘表面之间的体积;VW为形成在所述层压膜与所述发电元件的边缘表面中的连接位于所述底部处的边缘表面和位于所述开口处的边缘表面的边缘表面之间的体积;以及VTOTAL为灌注到所述袋状层压膜中的电解溶液的总体积。

14.根据权利要求13所述的覆膜电子器件的制造方法,其中,在由下述不等式给出的条件下灌注所述电解溶液:

VL≤(2/W)·(L-W/2)·VW

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