[发明专利]具缩减电极面积的发光元件

权利要求书

1.一种光源，其特征在于，所述的光源包含：

一基板；

一第一层，邻接所述基板且所述第一层包含一第一导电型材料；

一主动层，位于所述第一层上方，当空穴与电子在所述主动层中再结合时所述主动层产生光；

一第二层，位于所述主动层上方且所述第二层包含一第二导电型材料，所述第二层具有一第一表面位于所述主动层上方及一第二表面相对于所述第一表面；

一沟槽，延伸穿过所述第二层及所述主动层进入所述第一层，所述沟槽具有电性绝缘壁面；

一第一电极，设置于所述沟槽内使得所述第一电极电气接触所述第一层；及

一第二电极，电气接触所述第二层。

2.如权利要求1所述的光源，其特征在于，所述电性绝缘壁面包含一氮化硅层。

3.如权利要求1所述的光源，其特征在于，所述第一电极包含一金属层填满所述沟槽并接触所述电性绝缘壁面。

4.如权利要求1所述的光源，其特征在于，所述的光源进一步包含一透明导电材料层位于所述第二电极与所述第二表面之间。

5.如权利要求4所述的光源，其特征在于，所述的光源进一步包含一绝缘岛状物位于所述第二电极下方且置于所述透明导电材料层与所述第二层的第二表面之间。

6.如权利要求5所述的光源，其特征在于，所述电性绝缘壁面包含一绝缘材料层及所述绝缘岛状物包含相同的绝缘材料。

7.如权利要求6所述的光源，其特征在于，所述绝缘材料选自下列群组：氮化硅、氮化铝、氧化钛、氧化铝及氮氧化硅。

8.一种制造一发光元件的方法，其特征在于，所述的方法包含：

沉积包含一第一导电型材料的一第一层以邻接一基板；

沉积一主动层位于所述第一层上方，当空穴与电子在其中再结合时所述主动层产生光；

沉积包含一第二导电型材料的一第二层位于所述主动层上方，所述第二层具有一第一表面位于所述主动层上方及一第二表面相对于所述第一表面；

刻蚀一沟槽延伸穿过所述第二层及所述主动层进入所述第一层；

沉积一绝缘材料层于所述沟槽内；

刻蚀一孔洞于所述绝缘材料层的一部分以使得所述第一层的一部分裸露于所述沟槽中；及

沉积一导电材料层于所述沟槽内以形成一第一电极电气接触所述第一层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包含沉积所述绝缘材料于所述第二表面上，同时沉积所述绝缘材料于所述沟槽中并且图案化所述绝缘材料以形成一绝缘材料岛状物邻接所述第二表面。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包含沉积一透明导电材料层于所述岛状物与所述第二表面上方，然后沉积一图案化导电材料层于所述岛状物上方，以形成一第二电极电气接触所述透明导电材料层。